#NAND Flash
NOR FLASH火了
快閃記憶體包括NOR Flash(或非快閃記憶體)和NAND Flash(與非快閃記憶體),其中NAND Flash佔據快閃記憶體市場95%以上份額。NOR Flash(或非快閃記憶體)憑藉獨特的技術特性,在工業、汽車等專業領域佔據一席之地。作為非易失快閃記憶體的兩大核心技術路徑之一,NOR Flash歷經數十年發展,在物聯網、汽車電子、AI伺服器等新興場景的驅動下,正從“小眾利基市場”邁向“高成長賽道”。而在這一浪潮中,本土MCU企業的佈局尤為關鍵。以中微半導為代表的本土企業,正憑藉MCU賽道的技術與客戶優勢,加速切入這一高成長領域,推動NOR Flash從“小眾剛需”向“規模化應用”邁進。01什麼是NOR Flash?NOR Flash的發展始於上世紀80年代,1988年相關技術率先由東芝的富士雄研發,後經Intel推動產業化,徹底打破了此前EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory,電可程式設計序唯讀儲存器)和EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory,電可擦唯讀儲存器)一統唯讀儲存器市場的格局。緊隨其後的1989年,東芝推出NAND Flash,二者形成鮮明互補:NOR側重程式碼儲存,而NAND Flash以高儲存密度、低成本為優勢,主導大容量資料儲存。NOR Flash的特點是採用平行定址結構,晶片內執行(XIP,eXecute In Place),這樣應用程式可以直接在快閃記憶體內運行,無需載入至系統RAM,且具備長資料保留時間、耐熱、低功耗、擦寫壽命長(約10萬次)等特性。儘管其儲存密度低、單位容量成本高,寫入與擦除速度較慢,但在小容量、高可靠性、快速響應的場景中具有不可替代性,早期主要應用於功能機等裝置的韌體儲存,如今已逐步拓展至更廣泛的專業領域。而NAND 由於具備極高的儲存單元密度,可實現高儲存密度,且寫入、擦除速度表現優異;其落地應用的的困難在於需要配套專用的系統介面完成快閃記憶體的高效管理。讀寫性能上,NOR 的讀取速度略優於 NAND,而 NAND 的寫入速度則遠勝 NOR。02多領域需求驅動NOR Flash量價齊升隨著物聯網、汽車電子、人工智慧等產業的快速發展,NOR Flash的應用場景持續拓寬,市場需求迎來爆發式增長,推動其從細分領域走向規模化應用。在物聯網與AIoT領域,MCU(微控製器)的應用也越來越廣。早期MCU通過內建EEPROM或外接小容量NOR Flash即可滿足需求,但隨著智能裝置功能不斷豐富,系統升級、音訊儲存、GUI圖片顯示、視訊快取、協議棧等需求催生了更大容量的儲存需求,MCU配套的NOR Flash也逐步向更高容量升級。人工智慧趨勢下,端側AI需求爆發進一步放大了這一趨勢,AI耳機、智能手環、AR/VR裝置、智能音箱、具身智慧型手機器人、AI玩具等終端產品,對儲存的快速響應能力和可靠性要求極高,且多數場景無需大容量儲存,恰好契合NOR Flash的技術優勢。比如,TWS耳機(內建1顆NOR以儲存系統程式碼)、智能手錶/手環(內建/外接1顆NOR)、AR/VR(通常配置1顆NOR)等可穿戴裝置市場快速發展,帶來巨大的NORFlash潛在需求量。汽車電子領域的增長同樣迅猛。數字座艙、自動駕駛(ADAS)的快速發展,推動車載儲存需求持續攀升。NOR Flash的即時啟動(instant-on)特性,使其成為汽車儀表板的理想選擇。相較於NAND Flash,其長資料保留、耐熱、快速啟動程式碼的優勢,完美匹配車載場景的嚴苛要求。而整個ADAS系統對NOR Flash的需求則更大。由於ADAS功能的複雜化正在推動智能感測器的普及,如前置攝影機、成像雷達,甚至雷射雷達,因此需要大量高密度NOR Flash。特別是進入自動駕駛時代之後,每顆攝影機、雷達均需要一顆儲存晶片與其配套使用,攝影機和雷達會將所感知到的路面資訊寫入儲存晶片中,並通過專有演算法對寫入的資料進行運算、分析,快速做出緊急避讓、制動等操作,這一需求只有NOR Flash能夠勝任。AI伺服器的爆發式增長,成為NOR Flash需求的“超級引擎”。HBM4(高頻寬記憶體)技術架構的革新,使得DRAM堆疊層數從HBM3的12層躍升至16-20層,其物理結構與電源管理邏輯更為複雜。NOR Flash承擔著AI伺服器系統初始化、安全啟動和韌體儲存的核心功能,能夠滿足HBM4每層DRAM獨立電源管理與初始化的需求。隨著AI伺服器從HBM3E向HBM4升級,單台裝置的NOR Flash用量從1-2顆增至3-5顆,行業資料顯示用量增幅達50%。在AI訓練叢集中,系統需頻繁、可靠地呼叫底層指令,NOR Flash的低延遲、高可靠性使其成為不可替代的部件。需求的持續火爆也引發了漲價潮。中微半導1月27日發佈漲價通知函稱,受當前全行業晶片供應緊張、成本上升等因素的影響,封裝成品交付周期變長,成本較此前大幅度增加,框架、封測費用等成本也持續上漲。鑑於當前嚴峻的供需形勢以及巨大的成本壓力,經過慎重研究,決定於即日起對MCU、Nor flash等產品進行價格調整,漲價幅度15%~50%。03本土MCU企業佈局NOR Flash的戰略邏輯日前,國內MCU龍頭中微半導正式官宣首款非易失性儲存器晶片CMS25Q40A,以4M bit低功耗SPI NOR Flash產品敲開儲存領域大門,開啟“MCU+儲存”佈局。MCU與NOR Flash是天然“黃金搭檔”。絕大多數搭載MCU的嵌入式裝置,都需要外掛NOR Flash儲存程序。這一天然協同性,也推動了本土MCU企業紛紛切入NOR Flash領域,成為產業發展的重要趨勢。NOR Flash與MCU在半導體設計及製造工藝層面具備天然共通性,二者同屬嵌入式系統核心晶片,均需攻克低功耗設計、高可靠性保障、嵌入式儲存最佳化等關鍵技術。企業依託在NOR Flash領域沉澱的工藝經驗、IP資源儲備及客戶管道優勢,可高效推進MCU產品研發,落地“儲存+控制”平台化戰略,顯著降低研發成本與市場風險。這一戰略已得到多家企業實踐驗證:兆易創新、恆爍股份均明確將自身定位為“儲存+控制”領域服務商,借助NOR Flash的管道協同效應拓展MCU業務;普冉則推行“儲存”與“儲存+”雙輪驅動戰略,一方面持續完善原有儲存產品線的全系列佈局,強化工藝性能領先優勢,聚焦中高端工控、車載客戶拓展及新增領域增量機會,為市佔率提升築牢產品根基;另一方面,“儲存+”類股下的MCU與VCM Driver產品快速打響品牌知名度,實現業務持續高速增長。本土MCU企業佈局NOR Flash有三大原因:一是完善產品生態,強化客戶粘性。MCU作為智能裝置的核心控制晶片,通常需外掛儲存晶片儲存程式碼、配置參數等關鍵資料。若MCU企業實現NOR Flash自主供給,可建構“MCU+Flash”一站式解決方案,不僅能有效降低客戶採購成本及供應鏈管理難度,更能通過產品協同繫結客戶需求,顯著增強客戶粘性。二是拓展業務邊界,挖掘新增量。儘管NOR Flash市場規模不及DRAM、NAND Flash,但在汽車電子、工業控制、物聯網裝置等領域具備不可替代性,尤其適配小容量、低功耗應用場景。MCU企業可憑藉既有的客戶資源與技術積累切入該領域,突破原有業務邊界,挖掘細分市場新增長點。三是把握國產化機遇,搶佔細分市場。全球NOR Flash市場長期由華邦、旺宏等國際廠商主導,近年來國產企業市場份額逐步提升,國產替代趨勢顯著。MCU企業可順勢而為,以中小容量產品為切入點,避開與頭部廠商在高密度、車規級產品上的直接競爭,精準搶佔細分市場份額。當然,新進入者也面臨不小挑戰:NOR Flash市場已形成兆易創新、普冉股份等頭部企業,新玩家需在性能、成本、可靠性上實現突破;產品系列化需持續投入大量研發資源,可能影響MCU傳統業務的迭代速度;同時,市場受產能、需求波動影響較大,價格起伏可能衝擊企業盈利能力。不難看出,MCU企業佈局NOR Flash,是依託技術協同、把握國產化機遇的戰略選擇,已成為近年來半導體行業的重要發展趨勢,同時也需應對市場競爭與資源分配等多重挑戰。043D NOR快閃記憶體:非易失性儲存革命為了適應人工智慧、智能汽車等產業發展,HBM、HBF、HBS等各類堆疊方案層出不窮。而在NOR Flash領域,這些應用也對更高密度、更快訪問速度和更高可靠性的快閃記憶體提出更高要求。傳統2D NORFlash已近接物理和性能極限,其平面架構限制了其可擴展性。3D NOR Flash通過垂直堆疊儲存單元,徹底解決了2D架構的可擴展性難題。以旺宏電子(Macronix)的產品線為例,2D NOR Flash單裸片最大容量僅為512Mb,若需更高密度需採用多裸片系統級封裝(SiP);而3D NOR Flash單裸片容量可達到4Gb,儲存密度實現跨越式提升。這一特性使其成為有限物理空間內需要大量非易失性儲存場景的理想選擇,能夠減少終端裝置對eMMC和NAND等多儲存器件的依賴。除了儲存密度的提升,3D NOR Flash還具備更短的訪問延遲,顯著最佳化了裝置啟動性能,這對於汽車儀表板、AI伺服器等需要近乎即時訪問儲存資料的應用至關重要。隨著3D NOR技術的成熟與量產,其將進一步滿足汽車電子、AI伺服器等高端場景的高性能需求。從技術迭代到需求爆發,從本土突圍到產業升級,NOR Flash在多領域剛需的推動下,成為半導體產業中極具增長潛力的黃金賽道。未來,隨著3D NOR等技術的持續突破,以及國產化處理程序的加速,NOR Flash市場將迎來更為廣闊的發展空間。 (半導體產業縱橫)
《威剛領軍記憶體族群出關!法人點名四大動能AI超級循環正式啟動》記憶體族群過去三季上演一場驚心動魄的重生劇碼,從國際大廠減產保價、報價觸底反彈,再到 AI 浪潮帶動 HBM(高頻寬記憶體)供不應求,激勵威剛、十銓、南亞科、華邦電相關概念股狂飆列入「處置股」,隨著分盤交易限制解除,法人點名四大關鍵動能成為股價核心燃料。記憶體產業之所以能被看好,不僅是產業景氣反彈,而是超級循環(Super Cycle)週期,關鍵在於 AI 帶來的結構性改變,由四大新動能支撐未來 6 到 12 個月股價上攻的核心燃料,首先是 HBM 的排擠效應,因 NVIDIA 的 GPU 如 H100, Blackwell 系列極度依賴 HBM3e,甚至未來的 HBM4,HBM 不僅價格是傳統 DRAM 的數倍,更必須消耗大量的晶圓產能。記憶體三大原廠如 SK 海力士與三星將大部分的資本支出與先進產能都移轉去生產 HBM,導致傳統 DRAM 的 DDR4、DDR5 供給遭到排擠,而這對於台灣的中下游廠商而言,卻是一個天大的好消息,因為原廠不願意做標準型記憶體市場,供給將持續緊俏,而這種「產能排擠效應」保證標準型 DRAM 的價格在未來一年難以深跌,甚至有續漲空間。第二是 AI PC 與 AI 手機的「容量倍增」紅利,如果說 HBM 是雲端的戰爭,那麼「邊緣運算(Edge AI)」就是終端的戰場,微軟定義的 AI PC,以及能夠運行生成式 AI 的旗艦手機,對記憶體的需求強勁,而要在裝置端運行一個像樣的 LLM(大型語言模型),記憶體就是最大的瓶頸,以 PC 端來說,現在 AI PC 起步標準就是 16GB,未來主流將推向 32GB 甚至 64GB。第三是 DDR5 與 DDR4 的黃金交叉,由於市場目前正處於世代交替的關鍵期,隨著 Intel 與 AMD 新平台的滲透率提升,DDR5 正式成為主流,過去因為 DDR5 太貴,消費者買不下手,但如今 DDR5 與 DDR4 的價差已縮小至 15%~20% 的甜蜜點,這將加速世代交替,而 DDR5 的技術難度較高,因此平均銷售單價(ASP)與毛利率都優於 DDR4。第四是 NAND Flash 市場迎來轉機,過去 Flash 殺價競爭最為慘烈,但 AI 伺服器不僅需要運算,更需要極高速的資料吞吐,因此 QLC (Quad-Level Cell) 企業級 SSD 正在快速取代傳統硬碟(HDD)在資料中心的地位,而 AI 訓練資料庫動輒數 PB,對於高容量、高密度的 Enterprise SSD 需求大增。法人指出,記憶體產業的這波漲勢,始於減產帶來的供需修復,飆漲於資金的投機熱潮,但最終將支撐於 AI 帶來的實質需求,首選的是具備研發能力、能切入 AI 伺服器或高階電競市場的控制 IC 設計廠與高階模組廠,次選是擁有龐大低價庫存,且通路佈局全球化的通路龍頭。
《威剛將迎來AI 記憶體超級週期!外資估今年 NAND 價格飆 40%》全球 NAND Flash 市場正迎來結構性轉變,受惠 AI 推論需求呈爆炸性增長,以及傳統硬碟(HDD)供應短缺,企業級 SSD(eSSD)將成為強勁成長動能,預測 2026 年 NAND Flash 平均銷售單價(ASP)將出現 40% 的驚人漲幅,法人看好威剛手中握有的低價庫存效益將全面顯現。根據外資最新報告,全球記憶體市場正在經歷由 AI 驅動的「超級週期」,首先是企業級 SSD(eSSD)需求成長率將從長期平均的 10%,增至未來三年的 30% 以上,因 AI 伺服器需要大量的 NAND Flash 進行數據存儲與推論 。由於 AI 伺服器的存儲內容需求量是傳統通用伺服器的 3 倍以上,而由於傳統硬碟(HDD)供應短缺,再加上 QLC SSD 在效能與能耗上的優勢,資料中心正加速以 SSD 取代 HDD,進一步推升需求。特定高需求元件的現貨價格,例如 512Gb TLC 晶圓,已在過去 7 個月內飆漲 5.5 倍,雖然合約價反應較慢,預計 2026 年全年的 NAND 混合平均售價(ASP)將大幅成長 40%,法人認為,威剛庫存管理靈活,持有的低價庫存將轉化為鉅額的庫存跌價回升利益與毛利擴張。AI PC 換機潮啟動,除了伺服器端,客戶端 SSD(Client SSD)也迎來轉機,雖然消費性市場面臨成本壓力,但 AI PC 的出現將推動結構性的容量升級,為了在本地端運行 AI 模型,PC 需要更快的讀寫速度與更大的儲存空間,法人看好將支撐威剛在消費性 SSD 市場的出貨單價與獲利 。由於記憶體大廠如三星、SK 海力士將資本支出優先集中在製程轉進,而非產能擴充,加上 AI 帶動的 eSSD 需求遠超預期,預計 NAND Flash 的供應短缺將持續,供不應求將延續至 2026 年底,法人看好威剛今年營收與獲利有望挑戰歷史新高。
中芯國際:接大量急單!
11月18日消息,中芯國際表示,該公司的產線非常滿,三季度產能利用率達到95.8%,訂單很多,產線供不應求。四季度指引沒有大的躍升的原因之一是手機市場現在儲存器特別緊缺,價格也漲得非常厲害。“中芯國際承接了大量模擬、儲存包括 NOR/NAND Flash、MCU 等急單,為保障交付,主動將部分非緊急手機訂單延後,這也使得手機業務佔比短期有所下降。”該公司稱。據中芯國際財報顯示,該公司前三季度營收約495.1億元,同比增加18.2%;歸屬於上市公司股東的淨利潤約38.18億元,同比大增41.1%;毛利率為 23.2%,同比增長5.6個百分點。單看第三季度,中芯國際營業收入171.62億元,環比增長6.9%;實現淨利潤15.17億元,同比增長43.1%;毛利率為25.5%,環比上升4.8個百分點;產能利用率上升至95.8%,環比增長3.3個百分點。財報顯示,中芯國際的產能利用率進一步提升,從第二季度的92.5%上升至95.8%,折合8英吋標準邏輯月產產能達到百萬片。整體來看,儲存的影響是雙向的。對當前是提拉訂單,對來年是看不清。據觀察,儲存供應短缺或過剩5%就有可能給價格帶來成倍的影響。目前行業供應存在缺口,預計高價位態勢將持續。此外,NOR Flash、NAND Flash及MCU等產品驗證周期長、替代門檻高。即便有新廠商嘗試進入,從流片到規模化量產也需至少16個月。這意味著在未來一段時間內,現有供應商的市場地位將保持穩定,難以被快速替代。在11月4日舉行的業績說明會上,中芯國際聯合首席執行官趙海軍表示,公司產量上升“主要是因為產業鏈切換加速進行,以及管道還在備貨補庫存,公司積極配合客戶保證出貨”。晶圓平均銷售單價環比增長3.8%,是由於產品組合變化,製程複雜的產品出貨增加。趙海軍提到,四季度雖然是傳統淡季,客戶備貨有所放緩,但產業鏈切換迭代效應持續,淡季不淡。因此,公司給出的四季度收入指引為環比持平到增長 2%;產線整體上繼續保持滿載;毛利率指引為 18%到20%,與三季度指引相比持平。據此預測,公司全年銷售收入預計超過90億美元。 (國芯網)
美股 別只盯著輝達了!AI儲存硬碟才是最大贏家,四大牛公司名單曝光!WDC ...
黃仁勳公開表態:OpenAI 將是下一個市值數兆美元的超級公司!其核心邏輯是:OpenAI 不只是做一個產品,而是建構一個完整的“生態系統”;B2C(消費者端):ChatGPT、Sora類產品,已經形成穩定的付費訂閱模式。B2B(企業端):提供 API,支援無數公司接入 GPT 模型,這類似“AI 雲基礎設施”,商業模式清晰,有望複製蘋果、微軟、Google的生態級擴張。本周推出的Sora2更加認證了這一點,每個人通過AI生成帶音效的有趣視訊,然後發佈到Sora應用,和好友互動,吸引粉絲關注,直接挑戰短影片老大Tiktok和Google的地位。而關鍵的關鍵,是AI 應用背後真正的瓶頸是資料的儲存!也是我們今天要討論的投資機會的核心。每一條 Sora2 視訊、每一次 AI 互動,都會形成海量資料。這些資料不僅需要算力來處理,更需要無數的硬碟和儲存系統去承載。現實正在發生。三星和海力士本周三的聲明,OpenAI CEO Sam Altman 已在首爾簽署意向書,將兩家儲存巨頭納入 “星際之門”超級資料中心計畫。隨著項目擴張,OpenAI 的儲存需求可能達到 每月 90 萬片晶圓——是當前全球 HBM 總產能的兩倍多!為什麼會是這麼恐怖的需求量?我們一看便知。基礎媒體的資料量文字(文字): 資料量極小,幾乎不產生儲存壓力。圖片: 開始有體量,大約 1MB/張。音訊/歌曲: 資料量增大,約為 5MB/首。基礎視訊: 資料量暴增,每分鐘需要 50MB資料的真正挑戰出現在內容的多樣性和裂變上:多語言翻譯: 如果一個視訊需要翻譯成 10 種語言,資料量直接乘以 10,達到 500MB/分鐘 (50MB×10)。變種創作(個性化): 每個使用者對視訊進行的變種創作(如卡通化、換臉、古風化),都相當於生成一個全新的、獨立的高畫質視訊。由於使用者的創意是無窮無盡的,這種裂變帶來的資料體量幾乎就是無窮無盡的。以 Instagram 30 億使用者為例,即使只有很小一部分使用者參與裂變創作,所產生的資料總量也將是天文數字。因此,一旦 Sora 2 普及,OpenAI 毫無疑問將成為全球最大的儲存買家之一。它不僅要買進海量的記憶體(DRAM/HBM)和快閃記憶體(NAND),還要瘋狂採購 HDD 和 SSD,甚至直接與儲存寡頭簽下十年級的戰略合作。此外微軟、Google、亞馬遜、Meta 這些雲端運算巨頭它們已經提前出手,不計成本地以天價長約,鎖定了未來幾年儲存晶片的核心產能!換句話說,未來幾年,整個 AI 生態都會成為全球最大的儲存需求引擎。真正要爆發的,不是一家公司的訂單,而是整個 儲存產業鏈的系統性繁榮。這就引出了三個決定性的問題:誰能在 記憶體市場(DRAM/HBM,高速記憶體) 裡真正跑出來,賺到最多的錢?當 快閃記憶體晶片(NAND) 漲價、供不應求時,誰能像“賣水人”一樣,躺著收錢?在 硬碟和固態硬碟(HDD/SSD) 領域,誰會在這場 AI 資料爆發裡,那幾家美股公司將會成為最大贏家?儲存晶片:「飢餓遊戲」開啟如果算力是 AI 城市的“電力引擎”,那麼儲存就是確保電力永不中斷的“電網與能源命脈”。如今,全球儲存晶片市場正在進入一場前所未有的“飢餓遊戲”——供給緊張,而需求卻在無休止地膨脹和搶奪。在深入理解這場搶奪戰之前,我們需要先理清 AI 的儲存體系。CPU 和 GPU 是“大腦”,而三類儲存晶片則構成了它的“記憶結構”:1、DRAM 像辦公桌,速度最快,用來處理眼前的資料,但一旦斷電就會清空;2、NAND 像檔案櫃,速度稍慢,卻能長期保存,是 SSD 等核心儲存的基礎;3、HDD 則是檔案庫,容量最大、成本最低,專門存放冷資料和備份。一句話概括,AI 的大腦依靠 DRAM 高速處理資料,結果和資料再被分流回 NAND 或 HDD,以保證既能即時運算,又能長期儲存。過去,像 DRAM、NAND 這樣的專業晶片,只在半導體行業扮演著默默無聞的“配件”角色。但隨著 Sora 2等生成式 AI 應用的蓄勢待發,儲存晶片正從幕後走向台前,成為了整個科技產業無法迴避的戰略物資。訓練大型AI模型時,資料量動輒 PB 級(百萬 GB),強依賴 HBM(高性能 DRAM)與 DRAM 的快取記憶體,這就像 AI 需要一個無比巨大的超級臨時工作台。而在我們每一次使用 ChatGPT、每一次生成 AI 視訊時,背後都需要在極短時間內呼叫龐大的記憶體資源。簡而言之,AI 不是在“消耗儲存”,而是在“吞噬儲存”,其對儲存的依賴程度遠遠超過以往任何一種應用場景。問題是,這場“飢餓遊戲”的緊張感,來自供需嚴重失衡。在需求端,大客戶正在瘋狂提前鎖貨。據美股投資網瞭解到,全球三大記憶體巨頭,三星、SK 海力士、美光的庫存幾乎被 AWS、微軟、Google、Meta 這些雲廠商包攬一空。為了保證 2026 年 AI 項目的順利交付,這些公司在 2025 年就大幅增加訂單,直接透支了未來的供應。在供給端,廠商為了追求更高的利潤率,將有限的產能優先分配給利潤豐厚的 HBM 和企業級 NAND 產品,導致面向普通市場的標準產品供給進一步收緊。研究機構預測,從 2025 年四季度開始,DRAM 與 NAND 的價格將持續上調,而到 2026 年,缺貨程度可能比此前預期更為嚴重。當供給有限,而需求剛性且不斷上漲時,價格和利潤率在未來幾年被系統性抬升,是必然的結局。與此同時,傳統儲存環節的變動也同步加劇了市場緊張。HDD(傳統硬碟)廠商如西部資料(WDC)和希捷科技(STX),在利潤壓力下不得不選擇削減部分產能。雖然冷資料的儲存需求並沒有消失,但這使得高容量 HDD 的交付周期被迫拉長。面對這種不確定性,一部分對穩定性和速度要求更高的雲廠商,不得不將訂單轉向 SSD(固態硬碟)或企業級 eSSD。由於 SSD 主要由 NAND Flash 構成,這種連鎖反應進一步推高了 NAND 的需求與緊張度。當高速儲存(NAND)和低速儲存(HDD)的供需錯配同時出現,整個儲存產業鏈都陷入了前所未有的“供不應求”局面。摩根大通大幅上調了全球儲存市場的規模預測,將未來兩年全球儲存市場的規模將比原先高出 6% 至 24%,到 2027 年,更是有望逼近 3000 億美元!要知道,這並不是普通的半導體周期反彈,而是一場由 AI 爆發式需求 + 高額資本壁壘 推動的超級繁榮。擴產需要至少一到兩年,而 AI 的資料洪流卻在當下加速噴湧。這意味著什麼?意味著供給遲緩、需求洶湧的“飢餓遊戲”,已經無法避免。未來三到四年,儲存將不再是配角,而會成為重塑整個半導體版圖的核心力量。贏家,必將誕生在這場供需對決的刀尖之上。核心儲存晶片製造商在全球儲存格局中,真正的核心玩家是掌握 DRAM/HBM、NAND 與 HDD 三大賽道的寡頭廠商。他們既是價格的制定者,也是技術路線的掌舵者。DRAM與 HBM賽道行業重心正在從傳統的通用記憶體向高附加值的高頻寬記憶體轉移。HBM 已經成為AI晶片的關鍵配套資源,直接決定了 AI 算力的效率。在這一過程中,美光(MU)正處在一個由“追趕者”轉向“份額兌現者”的階段。公司不僅確認 2025 年 HBM 產能已全部售罄,並預計 2026 年的產能將在數月內被鎖定。這種極高的訂單可見度,讓美光在與客戶談判中擁有了更強的定價權。同時,資料中心業務已成為利潤的核心來源,佔比提升至 56%,,毛利率高達 51.5%。雖然 SK 海力士依舊保持領先,但MU正在輝達供應鏈中不斷提升存在感,並且已經著手推進下一代 HBM4 的商務談判。這意味著,在高端記憶體領域,美光不僅能受益於需求爆發,還能逐漸提升行業中的話語權。NAND Flash賽道根據最新預測,2025 年 Q4 NAND 合同價將繼續上漲 5%–10%,部分品類甚至出現 15%–20% 的短期跳升,這證明了 AI 資料需求驅動下的剛性擴張正在傳導至價格端。全球三大 NAND 供應商目前產能利用率均已接近滿載, 而訂單提前鎖定至 2026 年,使現貨市場更為緊俏。MU在 NAND 賽道具備雙主業的結構性優勢。公司 3D NAND 正邁向 >300 層,並在 2025 年進入量產。層數越高,意味著單晶片容量越大、儲存成本越低,這是決定 NAND 龍頭競爭力的關鍵指標。隨著大模型推理和 AI 視訊生成對高速大容量 SSD 的需求暴漲,MU在“算力+存力”的雙周期中同步受益,具備穿越單一品類波動的避險與彈性。此外SanDisk(SNDK)已經從WDC分拆獨立上市,成為市場上少見的純 NAND 標的。這意味著投資者終於能夠直接押注 NAND 周期本身,而不是通過混合業務的WDC間接參與。SNDK 的純粹性讓其在 NAND 上行周期中具備更強的業績彈性,但同時也更容易受到價格波動和資本開支的影響,風險與機會並存。在 NAND 產業鏈中,慧榮科技(SIMO)是典型的“賣水人”。作為全球最大的獨立 SSD 控製器供應商,它不直接參與 NAND 製造,卻是 SSD 系統不可或缺的“大腦”。控製器的作用在於調度讀寫、進行錯誤糾正和壽命管理,因此無論 NAND 的價格如何波動,SIMO都能跨周期穩定變現。它的 PCIe Gen5 控製器已經量產,在客戶端和資料中心 SSD 中均有重要地位,這種“賣水人”模式為產業鏈提供了一種相對穩定的投資選項。HDD(傳統硬碟)賽道目前全球 HDD 基本上由WDC和STX兩家公司掌控。由於市場過於集中,這兩家公司擁有強大的定價權。特別是在近年來 HDD 廠商因利潤壓力選擇主動減產的背景下,市場供給收緊,進一步增強了它們提價的能力。對於亞馬遜、Google雲和 Meta 這樣的超大規模資料中心營運商而言,HDD 依舊是平衡成本與容量的選擇。在這兩大巨頭中,WDC的優勢在於它既保留了 HDD 業務的現金流基礎,同時又通過旗下 NAND 業務分享快閃記憶體周期的紅利。雖然 SNDK 的分拆讓它的 NAND 敞口被削弱,但作為一體化的儲存巨頭,WDC 依然具備跨品類的平衡能力。相比之下,STX則更專注於高容量 HDD 技術的迭代,聚焦在冷儲存市場,以穩健的現金流為其價值核心。企業級儲存系統Pure Storage(PSTG) 提供了與晶片製造和元件業務不同的投資視角,它代表了企業級儲存市場從傳統硬體轉向服務和軟體的趨勢。與傳統晶片廠商不同,PSTG 並不生產 NAND,而是提供全快閃記憶體儲存陣列與軟體定義儲存解決方案。它的增長邏輯在於 HDD 向 SSD 的替代趨勢,以及 AI 資料中心對高性能儲存的剛性需求。FlashArray 和 FlashBlade 已在企業級客戶和雲服務商中獲得越來越多的訂單,這讓 PSTG 能夠獲得高毛利的合同和持續的成長動力。不過,由於高度依賴上游 NAND 的供應,其毛利結構依舊會受到一定影響,這也意味著它更像是“結構性成長股”,而不是價格的制定者。 (美股投資網)