“有人因閃崩恐慌離場，有人卻看到了倒車接人的機會。”過去一年儲存行業迎來歷史性的上漲大周期。根據TrendForce今年2月發佈的報告，2026年第一季度傳統DRAM合約價比2025年第四季度漲了90%到95%；2026年第一季度NAND Flash合約價比前一個季度漲了55%到60%。然而3月下旬開始，市場突然變臉，DRAM現貨市場出現了恐慌性拋售，DDR4、DDR5記憶體條現貨價格一下子跌了不少，有資料顯示主流32GB DDR5套裝價格從3月中旬的2999元左右降至2200元附近，單月跌幅接近27%。現貨市場的下跌，也讓無數從業者和投資者困惑，市場真實的供需到底緊不緊張？既然 AI 算力需求這麼大，為什麼傳統記憶體還會遭遇現貨閃崩？儲存股的上漲邏輯還在嗎？（有關儲存市場更多討論，可加入作者微信 Evelynn7778 互通有無。）為此，雷峰網邀請了兩位身處儲存產業鏈一線的嘉賓，從管道、客戶、系統廠商的多重視角，共同拆解這輪儲存周期背後的真相和未來走向。郭照斌：中科曙光北京公司副總裁、正高級技術專家，擁有15年儲存系統架構與研發經驗。主導研發的分佈式儲存ParaStor及集中式全快閃記憶體儲FlashNexus多次斬獲全球性能榜單第一，在AI推理、金融高頻交易等關鍵場景擁有極深的落地經驗。王文浩：長虹佳華高級副總裁，在ICT領域擁有超二十年深厚積澱，負責公司資料解決方案業務的戰略規劃與營運管理，從2013年起帶領團隊佈局資料儲存與管理業務，積極推動以冷儲存為特色、覆蓋熱溫冷多級資料場景的解決方案體系。01 過去一年儲存報價失控：不再是以年為單位，每一天都在變在王文浩看來，這輪儲存漲價潮並不是一夜之間爆發的。作為國記憶體儲領域頭部分銷商的長虹佳華，橫跨十數個品牌、連接逾萬家核心管道生態夥伴與客戶，這種全面的觸角讓其對供需關係變化的感知更為敏銳。他回憶說，早在2025年Q1到Q2，漲價的苗頭就已經出現。當時三大原廠剛剛完成減產，市場的直接感受還不明顯。但到了Q3，尤其是七八月份，需求端開始出現明顯變化。部分原廠接到了大單，開始提前備貨，第一輪產能緊張就開始出現了。一些型號的交付開始變得困難。進入Q4，行情迅速升溫，原廠交貨周期被拉長到兩三個月，市場進入快速漲價階段。到11月、12月，瘋狂的一幕出現了：一些熱門產品開始按天報價，管道端也出現惜售和囤貨。春節前後，很多產品價格較最初已經翻了好幾倍。這背後的核心驅動力，首先來自AI算力需求爆發。以HBM為代表的高性能記憶體需求激增，擠佔了原本用於DDR的晶圓產能，造成結構性供需錯配。與此同時，原廠主動減產甚至停產DDR4，加速產品切換，也讓存量市場進一步緊張。當然，市場炒作因素也有份。當產品從“正常波動”變成“買不到”，當報價周期從按年變成按天，管道端的惜售、囤貨和預期交易就會放大波動。價格上漲本身，又會進一步強化缺貨預期。這也是為什麼同樣在一輪上漲周期裡，市場會同時看到兩個看似矛盾的現象：一邊是原廠合約價大幅上漲，另一邊是華強北現貨價格突然閃崩。換句話說，儲存行業正在變熱，但並不是每一個環節、每一種產品，都以同樣的方式變熱。02 HBM 產能排到2027年，中國國產替代接受度在提升一切瘋狂的源頭，都指向了AI算力中心的核心——HBM。王文浩透露，從市場觀察供給側，三星、海力士、美光三大原廠的HBM產能訂單已經排到今年年底，甚至到2027年。原因並不複雜：AI需求增長太快，但原廠產能爬坡需要時間，HBM生產線投資大，決策周期長，不可能在短時間內快速擴張。更重要的是，儲存行業本身具有強周期屬性，原廠也不會無限制地擴產。因此，在一段時間內，HBM緊缺仍然會是一個持續存在的問題。受影響最大的，是做智算中心項目、追趕大模型進度的雲服務商、網際網路大廠，以及一些大型行業項目。很多客戶提前半年或一年做好預算，由於HBM價格暴漲，面臨著“投標沒人敢投”的尷尬局面，不得不延期項目或修改配置方案。不過，危機裡也蘊藏著中國國產替代的機會。隨著國際品牌價格持續走高且優先供應歐美客戶，中國客戶越來越務實，對中國國產HBM的接受度正在逐漸增加。視線拉回原廠內部，HBM的技術路線也出現了巨大分歧。三星在HBM4上激進押注4nm邏輯製程做基底晶片，而SK海力士則走更成熟的路線 ，外界對三星良率的擔心也很多。（有關三星、海力士等原廠HBM路線選擇，可加入作者微信 Evelynn7778 討論。）有人用一個極其生動的帆船比賽理論解釋了這一現象：領航者（SK海力士）求穩，而追趕者（三星）就需要在HBM4上押注更激進的路線，一旦突破，就有機會重新爭奪份額。反過來，作為領航者的海力士，也必須關注追趕者動態，在保持穩定的同時切向新賽道。良率是相對的，只要性能提升能給GPU帶來更高的應用價值，就能彌補良率的不足。至於有人擔心“輝達Groq架構的LPU會不會顛覆HBM”，郭照斌覺得不太可能。他類比了光儲存到HDD、再到NVMe SSD的演進史，強調新東西要取代成熟的生態，不是一朝一夕的事。“HBM已經形成了真金白銀的爆炸式投入，生態匹配非常快。大家已經在資料中心建了這麼多東西，不可能馬上再花錢替代 。”03 DDR4閃崩與磁帶復興，看似矛盾實則合理大模型不僅吃掉了HBM的產能，更引發了強烈的算力溢出效應。王文浩指出，HBM和DDR5在生產工藝上存在晶圓爭搶，HBM的暴增直接擠佔了DDR5的產能；同時，原廠戰略投資向高性能記憶體傾斜後，SSD產能增長也會受到影響，價格同樣出現上行壓力。因此，儲存市場呈現出一種整體上漲的趨勢。HBM、DDR5和SSD之間，是一條性能遞減、容量遞增的鏈條。HBM解決的是高頻寬、高性能問題；DDR5在性能和容量之間折中；SSD則更偏向大容量儲存。SSD並不能直接接住HBM的性能流量。也就是說，客戶不是簡單地在這些產品之間做替代，而是在預算和性能要求之間重新組合方案。有意思的是，在性能狂飆的另一邊，古老的磁帶儲存反而迎來了意想不到的復興。王文浩分享了一個有趣的現象：AI模型訓練需要海量冷資料沉澱，在裝置漲價的大環境下，怎麼低成本、安全地儲存這些“冷資料”成了難題。磁帶因為安全性高、省電、成本極低，從今年年初開始先在歐美市場爆發，中國大廠迅速跟進，需求快速增加，目前相關廠商的產能也已經被佔滿 。但這並不意味著“冷儲存”是一門簡單的生意。王文浩指出，AI時代的冷熱資料流轉頻繁，客戶需要為不同資料選擇合適的儲存介質，更需要讓資料在“熱、溫、冷”多級儲存之間平滑流動、按需調取。這正是長虹佳華的賽道。目前，長虹佳華已經建構了以冷儲存為特色、覆蓋熱溫冷多級資料場景的完整解決方案體系，從底層介質選型到上層資料智能管理軟體，幫助客戶在應對海量AI資料時，將綜合儲存成本壓至最低，同時保障資料調取的效率。但同時，DDR4現貨價格的閃崩也提醒市場：不是所有上漲都具有同樣的確定性。之前華強北DDR4現貨價格明顯下跌，比如16GB DDR4從900元左右跌到700元左右。表面上看，這跟“儲存緊缺”的大邏輯矛盾，但王文浩認為，這本質上就是存量產品的價格波動。外資原廠已經停產DDR4，市場上就是“有多少賣多少”。當DDR5緊缺時，一部分需求溢出到DDR4，再疊加炒作因素，價格很快被推高。但當DDR4漲到性價比下降，需求又可能回到DDR5或其他替代方案，價格自然就回落了。王文浩強調，長虹佳華作為專業服務商，不會跟著行情去“賭”。穩定健康是其核心策略：一方面要守住交付確定性，另一方面也要幫助管道夥伴理解市場底層邏輯，把真實需求放在第一位，不要把不確定性風險放大。對系統廠商而言，AI帶來的儲存需求更直接地體現在高性能儲存系統上。郭照斌結合中科曙光的業務證實了這一點：AI最直觀帶動的是SSD這類儲存系統，需求量和應用量最匹配。曙光做儲存，最早就是配合高性能超算中心，第一關注點就是高性能。AI出現後，他們團隊在2023年底便開始關注相關趨勢，並結合高性能計算場景做適配。隨著AI繼續深入，儲存系統要面對的不只是簡單的資料讀寫，而是HBM、記憶體、KV Cache、外接儲存等多層級協同。郭照斌提到，曙光已經圍繞KV Cache解除安裝、向量資料庫支援等“近計算”能力做了很多性能開發和應用適配，GDS（GPU直接訪問儲存）、KV Cache解除安裝這些能力也已經逐步產品化並進入商業應用。這意味著，AI時代的儲存產品，正在從“放資料的地方”變成“參與計算流程的一部分”。（AI時代儲存產品的地位還發生那些變化？歡迎加入作者微信 Evelynn7778 一起交流。）04 從賣容量到賣效率，儲存的定價邏輯正在轉變當圓桌進入尾聲，兩位大咖揭示了本輪AI浪潮對儲存行業最深遠的影響：商業模式的底層邏輯正在被徹底重構。過去，儲存廠商的鐵律是按容量定價，靠規模降本。但在 AI 時代，這個邏輯可能會有些轉變。郭照斌提到，輝達前不久開大會時，專門為儲存系統定義了一套新標準，把專業儲存廠商聚到一起，討論GPU和儲存之間的新協議。原因很直接：HBM再大也有容量限制。隨著模型參數越來越大、視訊模型等新應用不斷出現，資料量已經不是HBM或記憶體能夠完全承載的。未來AI生態必須把儲存緊緊捆綁進來，這意味著，未來儲存的價值衡量方式，可能不再只是容量，而是整個AI應用的效果。用了某家的儲存系統，模型響應時間是不是更短？推理效率是不是更高？GPU利用率是不是更充分？Token呼叫的效率和效益是不是更好？這些指標，都會慢慢進入客戶的採購決策。當客戶開始從“買多少容量”轉向“提升多少效率”，儲存廠商的議價權也會跟著變。在這個新法則下，管道商的生存之道也在悄然改變。王文浩坦言，以前客戶找管道商主要是比價格，但在結構性缺貨的當下，核心訴求變成了“保交付、穩供應” 。同時，面對高昂的裝置成本，客戶迫切需要成本最佳化的整體解決方案 。王文浩表示，這對長虹佳華來說是一種價值提升。一方面，長虹佳華在產品資源上相對豐富；另一方面，價格上漲後，客戶對成本最佳化解決方案的關注度越來越高，這對管道商的解決方案能力提出了更高要求。所以，長虹佳華並沒有簡單把自己定位成分銷商，而是持續投入技術人員，要求團隊更懂客戶業務，幫客戶設計合理的資料儲存方案。經過幾年積累，在儲存全生命周期管理、資料管理技術服務和解決方案能力上，已經得到了客戶認可。至於要不要向上游自研產品延伸，王文浩認為，這是延伸產業鏈價值的一條路徑，但不是唯一方案。在他看來，長虹佳華本質上是科技服務商，是生態連接者和增值服務商。面對結構性缺貨，市場真正需要的是橫跨多品牌的全域視野、調配供需的操盤能力，以及理解客戶業務的解決方案交付能力。從熱資料的高效供給，到溫冷資料的長效管理，長虹佳華依靠在儲存領域多年摸爬滾打的市場營運經驗，與全端資料儲存技術方案的能力沉澱，正在這輪周期中確立更高的生態價值。AI讓整個儲存行業踏進了一個歷史性的大周期，但與此同時，市場也必須承認：AI需求再強，也不會讓所有儲存產品無差別上漲。這意味著，從原廠到模組，從管道到系統廠商，每一個產業鏈角色都要重新思考自己的定位，誰能最快把“儲存裝置”轉化為“算力效率”，誰就能抓住這波機遇，吃到這輪周期裡最厚的一塊蛋糕。以下是此次圓桌討論的精彩分享，雷峰網進行了不改原意的編輯整理：聊體感：春節期間供需最緊張，甚至按天報價雷峰網·胡敏：長虹佳華處在原廠與下遊客戶之間，對水溫變化最敏感。這場儲存漲價潮，你們的體感是從什麼時候開始從“正常波動”變成“缺貨焦慮”的？王文浩：2025年第一個季度到第二個季度之間因為三大原廠之前做了減產，所以當時基本上相關體感不是很明顯。但是大概到七八月份的時候，需求端發生一些變化，有部分原廠接到了很大的需求，所以提前開始備貨，第一輪的強產能開始，這就導致了部分型號交貨開始變得困難。到了第四個季度，這個情況就比較加劇了。一方面，原廠的交貨周期變長了，大概兩三個月，對應下來的話，整個市場也進入了比較快速地大幅漲價的階段。到了十一二月底的時候，有些比較熱門的產品甚至開始按天報價。管道端也出現了惜售囤貨，這種現象到了春節前應該說達到頂峰，很多產品跟最開始的價格相比翻了幾倍。到目前看的話，基本上到了一個相對的平穩期。這個漲價背後的驅動力在我們看來可能還是多重因素吧。首先最核心的還是AI算力需求的爆發。不僅是中國，歐美算力的爆發是非常迅猛的，以HBM為代表的高性能記憶體需求一下就激增了，擠佔了原本用於DDR的晶圓產能，造成了結構性的供需錯配。其次，由於技術迭代，原廠產能投資也在調整。比如三大記憶體廠商都主動減產，甚至停產了DDR4，加速了整個產品的切換，也導致了DDR4存量市場供應的緊張，價格也就隨之波動。另外，也存在市場炒作的因素，疊加到一起，一定程度上也放大了價格的波動。聊HBM：HBM4路線分歧背後，像帆船競賽一樣的博弈雷峰網·胡敏：三大原廠說自己產能被全數預訂一空。但從管道端看，HBM到底是什麼樣的緊缺狀態？什麼樣的客戶最著急？有沒有客戶因為拿不到HBM而改變方案或者推遲項目？王文浩：其實從市場整體來看，我們瞭解到的需求跟供給的問題其實也是一樣的——三大原廠的產能訂單已經排到今年年底甚至到2027年了。整個大背景就是剛才講的AI需求增長太快。但原廠產能增長，實際上需要爬坡期。因為投資本身比較大，生產線也需要時間，加上對於原廠來說整體決策可能需要一個長時間的市場判斷，所以在這個周期裡面跟不上迅速增長的需求量。而且從原廠的經營策略來看，它也會在合理範圍之內控制產能的擴張速度，所以可能在一段時間之內需求端緊缺的問題還會存在，受影響比較大的是計算中心項目客戶、正在追趕大模型進度的雲服務商、網際網路大廠、一些行業的大型項目。這些客戶可能有些預算都已經是提前半年、一年計畫好的，結果這麼大的價格波動，導致預算差異比較大。那我們其實看到這個市場經常出現沒有人能投標的情況，這樣的話就會導致項目的延期。甚至使用者那邊會改改方案、整整配置，都會導致剛才講的春節過後很多項目都沒有按照原來的進度進行的情況。雷峰網·胡敏：那在海外HBM拿不到貨的情況下，有些客戶會考慮中國國產HBM。我們也看到中國國產封測廠已經展示960GB/s的HBM3e樣品，像長鑫儲存也在推進量產準備。從管道接觸下來，客戶對中國國產HBM是什麼態度？是有就行還是必須等國際品牌？王文浩：我覺得可能不同需求的客戶態度不一樣，但是大家整體上還是比較務實的。我們其實也觀察到了一部分的客戶一開始還是比較堅持國際品牌，但是隨著行情變化，現在開始接受中國國產。其實我們有一些合作的廠商陸陸續續都在推進自己的產品，而且從整個供應角度來看，我覺得他們也在加大這方面的生產力度。我覺得兩方面原因，一方面確實有成本壓力，國際品牌的價格持續走高，在歐美的銷售價格要比在中國的銷售價格高，所以從原廠角度來講，更願意把產能分配給歐美使用者。但同時中國的品牌現在也有具備競爭力的選擇了。我們自己一些產品的性能表現也越來越能夠滿足客戶的需求，包括其實像曙光那邊的一些產品應該也採用了中國國產。我覺得客戶的接受度是在慢慢增加的。雷峰網·胡敏：我們瞭解到HBM4現在存在路線的分歧，像三星押注4nm邏輯製程做基底晶片，SK海力士相對來說更穩健，聯合台積電走多線平行的策略。大家會很疑惑的是三星為何如此激進？目前的良率問題能否快速解決，實現在HBM4上的翻盤？其實更多是商品策略。國際上有一個非常有名的帆船競賽案例，當出現順風或逆風情況，作為跟隨者，你想超越，就必須做出和領航者不一樣的東西。反過來作為領航者，不被別人超越，其實你還要關注一下對手的動態，保持與其相同的航向選擇。不管選擇是對是錯，憑藉之前的優勢，始終還能是領先的。三星和海力士目前就是這個狀況。海力士HBM3的市場份額很高，而三星其實很低。那後者想超越，就要緊追下一代，如果突破了，肯定能搶到更多的市場份額。那反過來，海力士在保持穩定的同時，肯定也要關注最新的市場狀態。並且本身技術的發展迭代確實是比較快，海力士也必須得切到更新的賽道上。從雙方這麼多年的成熟的經歷來看，他們本身的追趕策略，包括最終良率的提升，都還是有比較大的可能性。雷峰網·胡敏：所以您還是比較看好三星的商業策略，有可能實現在HBM4上的翻盤？對。我覺得這是一個在國際上表現比較好的企業必然會採用的策略。雷峰網·胡敏：那良率問題現在能否得到快速解決？良率其實都是相對的。當性能在整個代際上升了一代、GPU實現跨代更高的使用效率，那其實良率低一點，價格也可以賣出更高的應用價值。這可以彌補一部分良率的不足。並且本身先進的技術都是從良率低慢慢往前演進的。大家更關注是否真能帶來比較好的效果。雷峰網·胡敏：我最近看到業內還有一個疑問是，輝達如果推出Groq設計的LPU晶片，會不會削弱HBM的需求，甚至顛覆HBM？您怎麼判斷這種“替代”風險？其實這種替代的風險在整個科技或者IT行業時刻會發生。包括從儲存本身的介質來說，其實從之前藍光這種很慢的光儲存到硬碟、HDD盤、SAS盤，再到最新的NVMe盤，都是代際能力更好的發展表現。回過頭去看每一個新的代際出現之後，它並不能在短時間內就把一個已經有成熟生態的產品很快速取代掉，這其實很難。NVMe、SAS已經發展有十幾年了，但其實現在依然是HDD、SAS、NVMe並存的市場狀態。聊其他儲存產品：冷資料沉澱成為剛需，磁帶產品復興雷峰網·胡敏：HBM目前雖然供不應求，但它的需求也在帶動其他儲存產品的變化。就像剛才浩總提到的，三大廠商把產能轉向 HBM之後，像我們平時用的DDR4、DDR5以及企業級SSD，它們的供需關係也在發生一些比較微妙的變化。所以，想請浩總給我們解讀一下：除HBM之外，像DDR4、DDR5、SSD這些產品，目前的供給情況究竟如何？王文浩：我先分享一下這些產品供給側的關係。現在AI大模型訓練和推理算力需求比較大，我們平時習慣叫高頻寬視訊記憶體的HBM能滿足這種需求。而HBM之所以會緊缺，除了前面提到的結構性供需錯配，由於HBM和DDR5在生產工藝中都要使用同一類晶圓，兩者之間是存在晶圓爭搶的關係。所以對於HBM持續、大量的需求反饋，從供給側來看的話會擠佔DDR5的產能。DDR產能一被擠佔，那市場價格就上漲，供應就緊張。再說SSD。SSD和記憶體之間的關係，實際上是生產商固定資產投資的方向在支撐。我們認為隨著更多廠商的戰略投資轉向記憶體，SSD的產能增長會變得緩慢，那麼價格也會增長。所以整個市場就呈現整體都要漲的姿態。那提到需求溢出，實際情況是從HBM到DDR5再到SSD，屬於性能遞減、容量遞增的三級快取，不是串聯的通道溢出，也不是一個剛性的傳導。需求溢出的核心是生產端結構性短缺，不是簡單地說HBM不夠了就買DDR5、SSD。SSD接不住性能的流量。不同客戶根據預算與性能的要求，可能直接選擇“HBM+DDR5+SSD”的組合方案。這個不是一個被動的傳導。因為都漲價了，需求的溢出是在每一層傳導，所以我們也觀察到一個有趣的現象——原來已經不太被關注的磁帶產品業務迎來復興。因為AI模型訓練的要求，海量的冷資料沉澱成為剛需。現在裝置漲價，那海量資料怎麼存？怎麼用？怎麼降低成本？可能答案就是給不同的資料安排合適的儲存介質，那磁帶由於安全性以及在節能減排上的優勢，比較適合現在大量的AI產生的冷資料儲存。我們瞭解到很多主流的公有雲的深度歸檔層都採用了磁帶技術。佳華也關注到這一方向，那我們也為客戶提供相對應的解決方案，來幫助公有雲和資料量比較大的行業客戶，包括幫助超巨量資料中心來應對資料暴增以及成本大幅提升的挑戰。雷峰網·胡敏：佳華是什麼時候觀察到這一現象的呢？王文浩：其實做對應的產品的時間也比較久了，可能有20多年。但是真正發現這個需求開始增長，因為傳導有延遲，所以差不多就在今年年初。最開始發現傳導的現象還是海外的市場，緊接著中國的一些剛才講的大型網際網路公司，包括雲廠商開始有跟進。而且我們也觀察到最近客戶詢問相關產品的資訊也越來越多了。此外這一需求也以非常快的速度在增長，因為我們觀察到對應廠商的產能已經被佔滿了。雷峰網·胡敏：但前段時間有一個奇怪的現像是，市場需求緊缺的同時，在華強北DDR4管道價格閃崩，16GB DDR4從900元跌到700元左右。您怎麼解讀這個矛盾的訊號？王文浩：確實是崩了一下，當時網路炒得也比較厲害。其實屬於存量價格的波動。因為外資原廠已經停產了，所以市場上有多少賣多少。但是從目前來看，其實DDR4不是特別剛需，但性價比還是有的，所以DDR4會有一部分需求在。此外，因為DDR5的緊缺使得需求溢出，再加上炒作，DDR4價格就會跟著漲。那等到漲到性價比開始下降的時候，需求可能又會回到DDR5 ，市場表現上看就是整個DDR4的價格又跌了，所以這個現象也並非矛盾，本質上還是存量產品的價格波動。雷峰網·胡敏：您剛才提到客戶有磁帶產品的需求，佳華接下來會有怎樣的策略去應對？因為像DDR4需求和價格的波動，挺考驗廠商前期判斷和策略。王文浩：佳華更側重解決方案類的項目。那從項目整體把控來看，我們會根據實際的需求來做對應的策略。因為佳華作為專業的服務商，不會跟著行情去賭，穩定健康是我們核心策略的要求。一方面，要守住交付的確定性，另一方面跟我們合作的管道夥伴、生態夥伴實現共贏。我們其實也希望大家還是能夠理解整個市場現象的底層的邏輯——要把真正的需求放在第一位，不能把不確定性的風險放大，所以整體的業務要保持在可控的範圍之內。所以我們一直講做生意還是要長期主義，別像炒股一樣，這個風險就太大了。雷峰網·胡敏：從曙光做企業級儲存的直觀感受上，AI推理對SSD、HHD等儲存的需求拉動到底到了什麼程度？郭照斌：不只是AI推理，整個 AI 最直觀的帶動，像王總剛才也說了，還是對SSD類儲存系統的需求拉動。其實它的需求量和應用量是最匹配的，也是最強的。所以NVMe、SAS，類似分佈式全閃、集中式全閃這一系列適配整個AI推理和AI訓練的產品，量確實出現比較大的增幅。而曙光做儲存，那其實我們整個儲存第一關注的點還是在高性能上。2023年左右我們其實就已經開始關注到相關的AI對於儲存高性能相關技術的趨勢影響、需求。高性能計算本身和儲存場景的要求，其實它們是很像的，所以我們提升性能表現的整個過程很絲滑。在整個AI的使用場景上，我們公司產品在市場上表現還是不錯的。前一段時間賽迪的報告裡，曙光儲存系統在AI細分領域的市場佔有率也是第一。雷峰網·胡敏：對於像你們這類做系統性儲存設計的廠商來說，這種需求會帶來那些新的挑戰？會專門針對訓練或者推理場景做一些技術上的最佳化或調整？郭照斌：是的，就像我剛才說的，其實儲存是比較穩定和傳統的產品了。伴隨著電腦的出現，整個儲存系統對使用者的使用方式有幾十年的要求，儲存的訪問標準都是很標準、很一致的形式。即使到AI出現，天下也沒有什麼太多的新鮮事。儲存要求最關鍵的就是兩大項——性能和穩定性。我們正好是做高性能計算的，高性能計算對儲存的第一個要求也是快，一定是性能高，才能匹配幾萬節點的平行計算和使用量。所以我們切到對AI的適配和應用上，其實還是有一定的優勢的。儲存剛開始出現的時候，只要求整個系統按標準的使用方式。你家的儲存比別人家的儲存快幾倍，客戶肯定用你的。在“快”上有技術積累後，當AI 對儲存提出更深度的要求，介於HBM和真正的外接儲存之間其實還有記憶體、KV cache、往帶外儲存的dump、中間的CXL等等很多層級，對推理的整體性能和結果產生了比較大的影響。所以針對KV的解除安裝、對向量資料庫的支援等近計算的能力，我們也要做比較多的性能上的開發和應用上的適配。我們已經逐步產品化，具備了GPU直接訪問儲存的能力、KV的解除安裝能力等，已經在商業化中得到應用。聊未來：客戶需求從“比價”到“保交付”“穩供應”雷峰網·胡敏：過去廠商賣儲存是按容量（元/GB）定價，利潤來自降成本、上規模，但未來如果儲存真的能讓客戶的GPU利用率從60%提到80%，那定價邏輯會不會變成按“節省的算力成本”來定價？未來儲存商業模式會不會從“賣容量”到“賣效率”的根本性轉變？這種變化如何重塑儲存廠商在AI產業鏈中的位置和價值分配？郭照斌：這個問題的角度很新穎。當AI往縱深方向發展的時候，包括前一段時間輝達開大會也專門對於儲存系統定義了一套相應的標準，集合專業的儲存廠商做了一個相當於GPU和儲存之間的新的標準協議。並且現在新的模型參數的提升、視訊模型出來之後，整個資料量的儲存量級根本不是HBM、包括記憶體裝得下的。未來一個必然發展的趨勢就是整個AI生態要把資料儲存緊緊捆綁起來，儲存的效率決定了你整個AI推理的能力和強度。那其實也是分兩個維度，一是速度快，二是資料質量。儲存在AI的應用裡面一定是不可或缺的一環。現在可能大家關注的是GPU的控制率，之後可能看的是整個 AI 應用最終Token使用效果等。而我用了你家的儲存，聰明程度和響應時間就是不一樣的，這個時候儲存在整個AI生態的議價權會更足一些。雷峰網·胡敏：從長虹佳華所處的位置來看，這一輪儲存周期給管道商帶來的最大機遇和最大挑戰分別是什麼？面對這些變化，長虹佳華做了那些應對？像香農芯創這樣的同行，已經開始從分銷向上游自研產品延伸了。長虹佳華怎麼看這個路徑？有沒有類似的佈局考慮？王文浩：一方面以前客戶找管道，主要是比價，或者看誰的交付能力更強。但是現在因為結構性缺貨，客戶的核心需求變成了保交付和穩供應。誰能解決買不到的問題，誰就能真正鎖定客戶長期的信賴。所以對我們來說的話是一種價值的提升。一方面，佳華還是有比較豐富的產品資源；另一方面由於價格上漲，客戶其實對於成本最佳化的解決方案也越來越關注，這其實對我們解決方案能力要求就比較高了。從幾年前開始做解決方案時，我們就投入了大量技術方面的人員，希望能夠更理解客戶業務，幫助客戶更合理設計資料儲存方案。經過這幾年的積累，佳華在這方面還是具備了比較領先的能力。那像剛才講到的儲存全生命周期的管理、資料管理的技術服務跟解決方案能力，應該說都已經在客戶端有所顯現，客戶端的反饋也還是比較認可的。我們還給客戶提供更精細化的資料儲存解決方案，像剛才提到的應用在大型電腦網際網路企業、大型生產製造型企業的針對冷儲存的解決方案，其實都幫助客戶降本。同時，在整個AI大環境下，我們也通過一些智能管理的軟體來實現對客戶資料的全生命周期管理。當前也確實有企業開始向上游自研延伸。這確實是延伸產業鏈價值的一種路徑選擇，但這也不是唯一的方法。佳華這麼多年還是基於科技服務商的商業本質，做生態的連接者和增值服務商。比如今天咱們一直在聊的結構性缺貨，面對這種複雜局面，市場真正需要的可能是橫跨多品牌的全域視野，以及調配供需的操盤能力，包括剛才我們講到的解決方案的交付能力。那麼佳華在這之中能提供調度和交付服務，實際上也是一條價值乘法的路徑。 (雷峰網)

【導語】2026年，儲存產業正在經歷一場從「周期性波動」向「結構性成長」的歷史性轉變。當AI算力的軍備競賽從雲端蔓延至端側，儲存——這個曾被視為「大宗商品」的環節——正在成為算力瓶頸的核心，驅動整條產業鏈從晶圓製造、主控晶片、模組設計到封裝測試，全面進入前所未有的高景氣周期。（圖片來源：TrendForce官網）TrendForce資料顯示，2026年Q1通用DRAM合約價環比上漲80%-98%，NAND Flash合約價上漲55%-90%；Q2漲幅進一步擴大至DRAM 58%-63%、NAND 70%-75%，漲價力度遠超市場預期。更深層的變化在於：全球儲存三巨頭——三星、SK海力士、美光——已與核心客戶簽下3-5年長期供貨協議（LTA），宣告「季度短約」模式的終結，儲存產業從「周期型博彩」轉向「價值型長跑」。本文將沿著「晶圓原廠→主控晶片→封裝測試→儲存解決方案→代理分銷→晶片設計」的完整鏈條，逐一拆解每一家關鍵上市公司，帶讀者建立儲存產業鏈的全景認知圖譜。01 全球原廠：HBM重塑價值鏈，記憶體格局生變NAND Flash領域，三星、SK海力士（含Solidigm）、美光、鎧俠、西部資料（含閃迪）合計佔全球約88%產能，國內長江儲存2025年份額約11.8%並持續提升；DRAM領域，強者恆強格局尤為突出，三星、SK海力士、美光三家佔據約95%市場份額。HBM成為晶圓廠戰略重心據Counterpoint Research資料，2026年Q2 SK海力士在全球HBM營收中佔據62%份額，美光佔21%，三星佔17%。三星、SK海力士、美光的HBM3E均已量產，其中SK海力士的12層HBM4已向輝達送樣，計畫2026年下半年批次生產。HBM4單顆價格已確認約560美元，較HBM3E（約370美元）溢價超50%，成為儲存產業利潤最高的單品。但產能擴張遭遇「先進封裝瓶頸」SK海力士宣佈將2026年HBM4出貨量下調20%-30%，主因輝達下一代Vera Rubin GPU在台積電CoWoS先進封裝環節仍面臨良率挑戰，HBM4匯入時程延後。這意味著SK海力士將優先保證HBM3E對輝達Blackwell架構的供應，倒逼HBM4產能爬坡放緩。業界普遍預期，HBM供給缺口在2026年將持續超過10%，HBM產能已被預訂至2028年。（圖片來源：SK海力士官網）全面缺貨，價格持續上攻AI伺服器對DRAM的消耗量是傳統伺服器的8-10倍，NAND消耗量超3倍。Gartner預測，2026年全球AI伺服器出貨量將突破150萬台，同比激增180%。TrendForce預估，2026年全年HBM市場規模將達600億美元，同比增長74%。02 國內原廠：從替代到競爭的關鍵一躍長江儲存：闖入蘋果供應鏈的國產NAND巨頭長江儲存（YMTC）已從曾經的「被制裁標的」轉變為全球儲存格局的重要變數。2025年，長江儲存在全球NAND市場份額達11.8%，與閃迪並列，已超越部分傳統巨頭。2026年4月，據多方供應鏈消息證實，長江儲存已開始為蘋果部分iPad機型供應232層3D NAND快閃記憶體，成為全球第五家進入蘋果NAND供應鏈的廠商——這也是國產儲存首次打入iPad核心供應體系。另據分析師郭明錤透露，蘋果正計畫在國行版iPhone中引入長江儲存快閃記憶體，初期佔比10%-15%。技術突圍：Xtacking 4.0量產長江儲存自研的Xtacking 4.0架構已實現約270層3D NAND量產，位元密度接近每平方毫米19.8Gb，技術水平已對標三星286層第九代V-NAND和SK海力士321層4D NAND。2026年初，長江儲存已從美國商務部實體清單中移除，掃清了進入全球最嚴苛供應鏈的最後障礙。（圖片來源：長江儲存官網）超級產能擴張：武漢三廠即將投產，全球NAND前三在望長江儲存武漢一期、二期合計月產能目前已達20萬片晶圓。三期工廠裝置安裝已啟動，預計2026年底正式投產，2027年將實現月產能5萬片的階段性目標。全部三期投產後，武漢總產能將達30萬片/月，超越SK海力士與美光，躍居全球NAND快閃記憶體製造第三位。更值得關注的標誌性訊號：三期工廠的國產裝置採購佔比首次超過50%，成為國內首個「國產裝置過半」的3D NAND量產工廠——此前長江儲存一期、二期核心裝置主要來自ASML等西方廠商，2022年被列入實體清單後海外裝置管道被切斷，倒逼國產化快速推進。三期工廠核心本土供應商包括中微公司（AMEC）等，國產半導體裝置正在規模化量產場景下接受關鍵驗證。合肥長鑫：國產DRAM獨苗，IPO中止≠失敗在DRAM領域，合肥長鑫儲存（CXMT）是國內唯一能與國際巨頭正面競爭的企業。長鑫儲存2024年營收達241.78億元，同比暴增166.07%，2022-2024年複合增長率超70%；公司預計2025年營收將達到550-580億元，接近翻倍增長。技術上，長鑫儲存2025年11月發佈DDR5記憶體產品（最高8000Mbps，採用24Gb顆粒），已通過JEDEC國際標準認證；同月發佈LPDDR5X移動端記憶體，最高傳輸速率達10667Mbps，較上一代LPDDR5提升66%，性能已躋身國際主流水平。長鑫儲存科創板IPO已於2026年3月31日被上交所中止稽核，原因系財務資料已過有效期——這是A股IPO稽核中的常見技術性中止（按「6+3規則」需補充更新審計報告後方可恢復稽核），並非IPO失敗。03 主控晶片：SSD「大腦」的國產崛起主控晶片是SSD的「大腦」，是儲存產業鏈中技術壁壘最高的環節之一。全球主流NAND Flash主控廠商集中在台海兩岸——群聯電子、慧榮科技在台灣，聯芸科技在大陸，三者各有所長。慧榮科技（NASDAQ: SIMO）：全球高端儲存主控晶片的標竿廠商慧榮是全球唯一在美股上市的台灣儲存主控公司，產品覆蓋企業級、消費級、移動儲存主控。2025年Q4營收2.785億美元（約20.3億元人民幣），同比增長45%，環比增長15%，毛利率高達49.2%；2026年Q1營收指引2.92-3.06億美元（環比+5%-10%，同比+76%-84%），全年有望創歷史新高。慧榮的MonTitan平台是面向AI伺服器和企業級儲存的核心產品線，支援PCIe Gen5介面，最高傳輸速率達14GB/s，已被多家頭部雲廠商和伺服器OEM採用。在車載儲存領域，慧榮車規級UFS和eMMC產品已通過AEC-Q100認證，批次進入全球主流車企的智能座艙和ADAS系統供應鏈。在移動嵌入式儲存市場，慧榮是蘋果iPhone基帶晶片的儲存控制晶片主力供應商，驗證了其移動端低功耗SoC與先進製程結合的技術能力。2026年，慧榮宣佈推出面向下一代AI Edge裝置的高密度UFS 4.0主控，計畫在2027年實現量產，繼續鞏固其在嵌入式儲存主控領域的全球領先地位。（圖片來源：慧榮官網）值得注意的是，慧榮是全球儲存主控晶片公司中，唯一同時在美股（NASDAQ: SIMO）和台灣櫃檯買賣市場掛牌的企業，具有獨特的「美股+台灣櫃買」雙資本市場地位，估值溢價明顯。其在美國資本市場的定價（Bloomberg一致預期2026年PE約32倍）也反向為其台灣櫃檯股票提供價值錨點，吸引國際機構投資者持續增持。群聯電子（8299.TW）：NAND Flash控制晶片出貨量最大的廠商之一群聯電子產品線覆蓋消費級至企業級全場景。2025年全年合併營收726.64億新台幣（約157.83億元人民幣），同比增長23.3%，創歷史新高；淨利潤87.41億新台幣（約18.99億元人民幣），同比增長9.9%。 群聯執行長潘健成透露，2026年Q1僅能滿足客戶約30%的需求，缺口高達70%。聯芸科技（688449.SH）：大陸消費級儲存主控出貨王，企業級賽道持續擴張聯芸科技2025年營收13.27億元，同比增長13.06%；淨利潤1.42億元，同比增長20.41%，連續兩年保持20%以上增速。公司正籌劃新一輪定增，募資不超過20.62億元，用於面向資料中心的新一代儲存主控晶片研發，包括企業級PCIe Gen6/Gen7 SSD主控晶片、消費級PCIe Gen6 SSD主控晶片、UFS 5.0嵌入式儲存主控晶片。聯芸的企業級PCIe Gen5主控晶片已進入量產測試階段，並被客戶B選用，全面切入企業級儲存與算力基礎設施供應鏈。消費級市場，聯芸已在PCIe 3.0/4.0主控實現批次出貨，匯入頭部PC OEM廠商，並正快速匯入PCIe Gen6新品。04 封裝測試：被低估的先進封裝之爭先進封裝是儲存產業鏈中最為隱蔽卻最關鍵的「卡脖子」環節。隨著HBM、2.5D/3D封裝需求井噴，封測廠的產能與製程能力直接決定上游晶片的性能釋放。盛合晶微（688820.SH）：國內2.5D封裝絕對龍頭，2026年4月21日登陸科創板盛合晶微成立於2014年，是中國大陸最早開展12英吋凸塊（Bumping）製造的企業，現已發展為全球僅有的四家具2.5D大規模量產能力的廠商之一（其餘為台積電、三星、英飛凌）。2024年中國大陸2.5D封裝市場排名中，盛合晶微以約85%的市場份額佔據絕對主導地位。2025年公司淨利潤9.23億元，同比增長331.8%；發行價19.68元/股，實際募資約50.28億元，其中48億投向2.5D/3D先進封裝擴產項目。上市首日以76.65元收盤，市值約1428億元。公司已佈局3D封裝，將於2026年上半年進入量產階段，技術水平可全面對標全球龍頭，HBM封裝訂單已包含國內頭部AI晶片與高頻寬儲存器的供應。（圖片來源：盛合晶微官網）長電科技（600584.SH）：封測龍頭，先進封裝佔比近七成長電科技2025年營收388.71億元，創歷史新高，其中先進封裝相關收入270億元（佔比約69.5%）。XDFOI®技術已進入大規模量產，應用於高性能計算、人工智慧、5G、汽車電子等領域。公司面向高性能封裝測試解決方案的收入佔比逐年提升，持續突破2.5D封裝量產，推進長電微電子產能釋放及配套能力建設。通富微電（002156.SZ）：AMD封測核心供應商，定增42.2億擴張通富微電擬定增42.2億元投向儲存晶片封裝、高階封裝及高性能計算封裝項目，2026年持續擴張先進封裝產能。公司當前約80%訂單來自AMD，深度繫結全球AI算力晶片供應鏈。華天科技（002185.SZ）：從傳統封測向先進封裝平台轉型華天科技2025年營收172.14億元，同比增長19.03%；淨利潤7.11億元，同比增長15.30%；研發費用高達10.38億元。公司已掌握SiP、FC、TSV、Bumping、FO、WLP、PLP、2.5D/3D等先進封裝技術，2025年完成積體電路封裝628.80億隻，晶圓級封裝211.99萬片。先進封裝技術上，公司已完成ePoP/PoPt高密度儲存器封裝、車規級FCBGA封裝技術開發，CPO封裝技術研發穩步推進，2.5D/FOPLP/CPO全面佈局，是國內封測廠中先進封裝技術覆蓋最全面的平台之一。05 儲存解決方案：國產龍頭的超級周期儲存解決方案位於儲存晶圓與終端之間，負責韌體開發、晶片封裝、模組設計，是決定終端產品性能與成本的關鍵環節。在本輪超級周期中，解決方案商的定位正從「封裝代工」向「全端方案商」躍遷。佰維儲存（688525.SH）：嵌入式儲存龍頭率先爆發佰維儲存2026年Q1營收68.14億元，同比暴增341.53%；歸母淨利潤28.99億元，同比扭虧（去年同期虧損1.97億元）。單季淨利潤不僅超過2025年全年（8.53億元），更達到2025年全年淨利潤的3.4倍，淨利潤率高達42.5%，創歷史最佳單季盈利水平。超級增長背後，是自2025年下半年開啟的儲存行業超級周期，以及AI算力需求的集中釋放。與Meta、Google、阿里、小米、Rokid、雷鳥創新等頭部企業深度繫結，AI新興端側儲存產品Q1營收11.75億元，同比增長496.45%，環比增長53.19%。公司已與某儲存原廠簽訂15億美元（約103億元人民幣）日常經營性採購合同，自2026年Q2起至2028年Q1止，採購期限長達24個月，鎖定上游核心資源。（圖片來源：佰維儲存官網）佰維在先進封裝領域的佈局，遠不止惠州基地的儲存器封測能力。公司全資子公司——廣東芯成漢奇半導體技術有限公司（以下簡稱「芯成漢奇」）於東莞松山湖投資30.9億元建設晶圓級先進封測製造項目，用地約102畝，專注12英吋晶圓凸塊（Bumping）、再布線加工（RDL）和2.5D/3D等先進封測服務。該項目主要規劃兩大類產品線：FOMS系列（Fan-out Memory Solution）面向先進儲存晶片的晶圓級扇出封裝，已推出使用FOMS-R工藝的產品；CMC系列（Chiplet Memory Co-packaging）面向未來AI伺服器和大容量儲存需求的先進存算合封方案。芯成漢奇佈局對佰維的戰略意義在於：從封裝代工向存算一體合封躍遷，對標三星、SK海力士的HBM封裝體系，以自建先進封測產能掌握核心資源。2025年該項目已動工，進展順利，正按客戶節奏穩步推進。德明利（001309.SZ）：儲存解決方案黑馬，單季利潤碾壓全年德明利2025年全年營收107.89億元，同比增長126.07%；淨利潤6.88億元，同比增長96.35%。但2026年Q1的爆發才是真正讓市場震驚的：預計Q1歸母淨利潤31.5億元至36.5億元，同比暴增約46倍，單季利潤相當於2025年全年的4.6倍；Q1營收預計73億至78億元，同比增長483%-523%。公司將業績暴增歸因於儲存行業景氣度持續上行、前期充足的原材料戰略儲備在漲價周期中釋放盈利紅利——手握大量低價NAND庫存，在價格上漲過程中形成巨額價差利潤。江波龍（301308.SZ）：全端化佈局企業級儲存江波龍2025年營收167.34億元，依託「主控晶片+韌體演算法+封裝測試」全端能力，在嵌入式儲存、企業級SSD等細分領域持續擴張。公司於MemoryS 2026峰會發佈自研SPU（Storage Processing Unit）及iSA（Intelligence Storage Agent），建構「晶片硬體+智能調度」的端側AI儲存軟硬協同技術閉環。技術上，SPU基於5nm先進製程，單盤最大容量達128TB，當前主流SSD最大僅8TB，容量差距16倍；SPU內建記憶體無失真壓縮、HLC高級快取技術，平均壓縮比達2:1，可節省40% DRAM容量需求。搭載自研主控晶片的UFS 4.1產品已進入批次出貨，Q1產品已獲多家晶圓原廠及頭部智能終端廠商認證。企業級SSD產品已批次匯入阿里雲、騰訊雲等頭部雲廠商。大普微（301666.SZ）：A股唯一純血企業級儲存解決方案標的大普微是國內企業級儲存領域極少數具備「主控晶片+韌體演算法+模組設計」全端閉環能力的廠商，主控晶片自研比例高達75%，累計儲存產品出貨量達4900PB（拍字節），在國內企業級SSD市場市佔率居前。公司的技術護城河在於：主控晶片基於12nm/16nm先進製程，支援PCIe Gen5介面，順序讀寫性能分別可達14GB/s和10GB/s，DWPD（每日全盤寫入次數）達3.0以上，可靠性直逼三星、英特爾企業級產品。2025年，大普微推出面向AI推理伺服器的高密度儲存模組，單模組容量可擴展至128TB，並已通過國內頭部伺服器廠商認證。2026年4月16日登陸創業板，上市首日漲幅430.71%，千億市值，是A股唯一純血企業級儲存解決方案標的。威剛（3260.TW）：台灣模組龍頭驗證全球景氣威剛2025年全年營收530.87億新台幣（約115億元人民幣），同比增長32.13%，全年EPS 23元，創歷史最佳；2026年3月營收105.37億新台幣（約23億人民幣），環比增長47.09%，同比增長181.48%，連續第二個月刷新歷史單月紀錄。DRAM模組貢獻其營收的68.26%，反映AI伺服器對高頻寬記憶體模組的強勁需求。威剛董事長陳立白表示，2026年將是儲存嚴重缺貨的起點，三星、SK海力士、美光三大原廠均已告知2026年產能「已全部售罄」，預計儲存合約價將持續上漲至2026年Q2-Q3以後。06 代理分銷：通道生意的AB面香農芯創（300475.SZ）：SK海力士HBM中國最大代理商香農芯創2025年營收352.51億元，同比增長45.24%；淨利潤5.44億元，同比增長106.06%。2026年Q1業績預告更為驚人：預計歸母淨利潤13.27億元，同比增長7835%。但繁榮背後暗藏結構性脆弱點：香農芯創代理毛利率僅2.42%（2025年上半年），公司自研企業級DDR5模組毛利率達28%，但自研業務營收佔比不足2%，短期內無法替代分銷成為利潤支柱。公司手握SK海力士HBM產品在中國大陸超50%的配額，直接受益於本輪HBM漲價周期。然而，分銷商的本質是「通道生意」：對上游供應商議價能力弱，一旦原廠調整代理策略或大客戶轉向直采，業績將面臨巨大壓力。266倍PE估值也令市場擔憂——高增長建立在漲價周期之上，一旦供需格局逆轉，庫存減值風險將急劇放大。07 儲存晶片設計：利基市場的隱形冠軍兆易創新（603986.SH）：NOR Flash全球第二，儲存晶片佔比超七成兆易創新2025年營收92.03億元，同比增長25.12%；歸母淨利潤16.48億元，同比增長49.47%。儲存晶片業務營收同比增長26.41%至66.56億元，在總營收中佔比超過70%。公司在NOR Flash領域穩居全球第二（18.5%市佔），利基型DRAM及SLC NAND Flash受益於行業供給緊縮帶來價格較快上行，營收增速表現亮眼。公司是率先實現45nm節點SPI NOR Flash大規模量產的公司之一，持續保持技術領先。2026年1月完成H股上市，建構「A+H」雙資本平台，並已在新加坡設立國際總部，全球化佈局加速。（圖片來源：兆易創新官網）瀾起科技（688008.SH）：DDR5記憶體介面晶片全球龍頭，AI運力晶片放量瀾起科技2025年營收54.56億元，同比增長49.9%；歸母淨利潤22.36億元，同比增長58.4%；毛利率62.2%，同比提升4.1個百分點。DDR5記憶體介面晶片在2024年出貨量超過DDR4，且第二子代出貨量超過第一子代，持續迭代。值得關注的是，受AI產業趨勢推動，PCIe Retimer、MRCD/MDB和CKD晶片等高性能運力晶片2024年合計銷售收入約4.22億元，是上年度的8倍；2025年Q1互連類晶片產品線銷售收入11.39億元，同比增長63.92%，毛利率高達64.50%。公司是全球可提供DDR5記憶體介面及模組配套晶片全套解決方案的兩家供應商之一，在AI伺服器記憶體介面這個賽道上佔據絕對統治地位。08 深度洞察：超級周期的三個超預期2025-2026年的本輪儲存超級周期，是儲存產業歷史上首次由生成式AI算力需求全面主導的牛市——與手機/PC驅動的傳統儲存周期有著本質區別。三個結構性變化值得重點關注：第一，HBM重新定義儲存價值鏈以往儲存的價值錨點是「容量×單價」，HBM的出現將「頻寬」提升至與容量同等重要的位置。HBM3E 12層產品的頻寬是傳統DDR5的數十倍，而AI GPU的核心瓶頸恰恰在於記憶體頻寬而非算力本身。HBM4已確認560美元/顆的單價，較HBM3E溢價50%，預計2026年HBM市場規模600億美元，同比大增74%，且產能已被預訂至2028年。第二，國產替代從「能做」到「能打」本輪周期中，長江儲存打入蘋果iPad供應鏈、佰維儲存單季淨利潤超2025年全年3倍、江波龍自研SPU的128TB超大容量、盛合晶微2.5D封裝佔據85%市場份額——這些不再是實驗室指標，而是已實現批次出貨的商用成果。國產儲存從「替代」走向「競爭」，是本輪超級周期最重要的長期變數。第三，缺貨短期無解，警惕「暴利反噬」TrendForce指出，2026年Q2 NAND合約價漲幅高達70%-75%，DRAM漲幅58%-63%，漲價力度較Q1進一步加速。然而，當儲存現貨價格與合約價出現明顯倒掛、終端客戶開始推遲拉貨時，超級周期的節奏切換節點可能比市場預期更早到來。多數儲存業者判斷，2026年H2是關鍵觀察窗口——若AI伺服器需求在Blackwell Ultra批次交貨後出現階段性放緩，疊加儲存新產能集中開出，漲價動能恐將面臨首輪考驗。 (GMIF創新觀察)

快閃記憶體包括NOR Flash（或非快閃記憶體）和NAND Flash（與非快閃記憶體），其中NAND Flash佔據快閃記憶體市場95%以上份額。NOR Flash（或非快閃記憶體）憑藉獨特的技術特性，在工業、汽車等專業領域佔據一席之地。作為非易失快閃記憶體的兩大核心技術路徑之一，NOR Flash歷經數十年發展，在物聯網、汽車電子、AI伺服器等新興場景的驅動下，正從“小眾利基市場”邁向“高成長賽道”。而在這一浪潮中，本土MCU企業的佈局尤為關鍵。以中微半導為代表的本土企業，正憑藉MCU賽道的技術與客戶優勢，加速切入這一高成長領域，推動NOR Flash從“小眾剛需”向“規模化應用”邁進。01什麼是NOR Flash？NOR Flash的發展始於上世紀80年代，1988年相關技術率先由東芝的富士雄研發，後經Intel推動產業化，徹底打破了此前EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory，電可程式設計序唯讀儲存器）和EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory，電可擦唯讀儲存器）一統唯讀儲存器市場的格局。緊隨其後的1989年，東芝推出NAND Flash，二者形成鮮明互補：NOR側重程式碼儲存，而NAND Flash以高儲存密度、低成本為優勢，主導大容量資料儲存。NOR Flash的特點是採用平行定址結構，晶片內執行（XIP，eXecute In Place），這樣應用程式可以直接在快閃記憶體內運行，無需載入至系統RAM，且具備長資料保留時間、耐熱、低功耗、擦寫壽命長（約10萬次）等特性。儘管其儲存密度低、單位容量成本高，寫入與擦除速度較慢，但在小容量、高可靠性、快速響應的場景中具有不可替代性，早期主要應用於功能機等裝置的韌體儲存，如今已逐步拓展至更廣泛的專業領域。而NAND 由於具備極高的儲存單元密度，可實現高儲存密度，且寫入、擦除速度表現優異；其落地應用的的困難在於需要配套專用的系統介面完成快閃記憶體的高效管理。讀寫性能上，NOR 的讀取速度略優於 NAND，而 NAND 的寫入速度則遠勝 NOR。02多領域需求驅動NOR Flash量價齊升隨著物聯網、汽車電子、人工智慧等產業的快速發展，NOR Flash的應用場景持續拓寬，市場需求迎來爆發式增長，推動其從細分領域走向規模化應用。在物聯網與AIoT領域，MCU（微控製器）的應用也越來越廣。早期MCU通過內建EEPROM或外接小容量NOR Flash即可滿足需求，但隨著智能裝置功能不斷豐富，系統升級、音訊儲存、GUI圖片顯示、視訊快取、協議棧等需求催生了更大容量的儲存需求，MCU配套的NOR Flash也逐步向更高容量升級。人工智慧趨勢下，端側AI需求爆發進一步放大了這一趨勢，AI耳機、智能手環、AR/VR裝置、智能音箱、具身智慧型手機器人、AI玩具等終端產品，對儲存的快速響應能力和可靠性要求極高，且多數場景無需大容量儲存，恰好契合NOR Flash的技術優勢。比如，TWS耳機（內建1顆NOR以儲存系統程式碼）、智能手錶/手環（內建/外接1顆NOR）、AR/VR（通常配置1顆NOR）等可穿戴裝置市場快速發展，帶來巨大的NORFlash潛在需求量。汽車電子領域的增長同樣迅猛。數字座艙、自動駕駛（ADAS）的快速發展，推動車載儲存需求持續攀升。NOR Flash的即時啟動（instant-on）特性，使其成為汽車儀表板的理想選擇。相較於NAND Flash，其長資料保留、耐熱、快速啟動程式碼的優勢，完美匹配車載場景的嚴苛要求。而整個ADAS系統對NOR Flash的需求則更大。由於ADAS功能的複雜化正在推動智能感測器的普及，如前置攝影機、成像雷達，甚至雷射雷達，因此需要大量高密度NOR Flash。特別是進入自動駕駛時代之後，每顆攝影機、雷達均需要一顆儲存晶片與其配套使用，攝影機和雷達會將所感知到的路面資訊寫入儲存晶片中，並通過專有演算法對寫入的資料進行運算、分析，快速做出緊急避讓、制動等操作，這一需求只有NOR Flash能夠勝任。AI伺服器的爆發式增長，成為NOR Flash需求的“超級引擎”。HBM4（高頻寬記憶體）技術架構的革新，使得DRAM堆疊層數從HBM3的12層躍升至16-20層，其物理結構與電源管理邏輯更為複雜。NOR Flash承擔著AI伺服器系統初始化、安全啟動和韌體儲存的核心功能，能夠滿足HBM4每層DRAM獨立電源管理與初始化的需求。隨著AI伺服器從HBM3E向HBM4升級，單台裝置的NOR Flash用量從1-2顆增至3-5顆，行業資料顯示用量增幅達50%。在AI訓練叢集中，系統需頻繁、可靠地呼叫底層指令，NOR Flash的低延遲、高可靠性使其成為不可替代的部件。需求的持續火爆也引發了漲價潮。中微半導1月27日發佈漲價通知函稱，受當前全行業晶片供應緊張、成本上升等因素的影響，封裝成品交付周期變長，成本較此前大幅度增加，框架、封測費用等成本也持續上漲。鑑於當前嚴峻的供需形勢以及巨大的成本壓力，經過慎重研究，決定於即日起對MCU、Nor flash等產品進行價格調整，漲價幅度15%~50%。03本土MCU企業佈局NOR Flash的戰略邏輯日前，國內MCU龍頭中微半導正式官宣首款非易失性儲存器晶片CMS25Q40A，以4M bit低功耗SPI NOR Flash產品敲開儲存領域大門，開啟“MCU+儲存”佈局。MCU與NOR Flash是天然“黃金搭檔”。絕大多數搭載MCU的嵌入式裝置，都需要外掛NOR Flash儲存程序。這一天然協同性，也推動了本土MCU企業紛紛切入NOR Flash領域，成為產業發展的重要趨勢。NOR Flash與MCU在半導體設計及製造工藝層面具備天然共通性，二者同屬嵌入式系統核心晶片，均需攻克低功耗設計、高可靠性保障、嵌入式儲存最佳化等關鍵技術。企業依託在NOR Flash領域沉澱的工藝經驗、IP資源儲備及客戶管道優勢，可高效推進MCU產品研發，落地“儲存+控制”平台化戰略，顯著降低研發成本與市場風險。這一戰略已得到多家企業實踐驗證：兆易創新、恆爍股份均明確將自身定位為“儲存+控制”領域服務商，借助NOR Flash的管道協同效應拓展MCU業務；普冉則推行“儲存”與“儲存+”雙輪驅動戰略，一方面持續完善原有儲存產品線的全系列佈局，強化工藝性能領先優勢，聚焦中高端工控、車載客戶拓展及新增領域增量機會，為市佔率提升築牢產品根基；另一方面，“儲存+”類股下的MCU與VCM Driver產品快速打響品牌知名度，實現業務持續高速增長。本土MCU企業佈局NOR Flash有三大原因：一是完善產品生態，強化客戶粘性。MCU作為智能裝置的核心控制晶片，通常需外掛儲存晶片儲存程式碼、配置參數等關鍵資料。若MCU企業實現NOR Flash自主供給，可建構“MCU+Flash”一站式解決方案，不僅能有效降低客戶採購成本及供應鏈管理難度，更能通過產品協同繫結客戶需求，顯著增強客戶粘性。二是拓展業務邊界，挖掘新增量。儘管NOR Flash市場規模不及DRAM、NAND Flash，但在汽車電子、工業控制、物聯網裝置等領域具備不可替代性，尤其適配小容量、低功耗應用場景。MCU企業可憑藉既有的客戶資源與技術積累切入該領域，突破原有業務邊界，挖掘細分市場新增長點。三是把握國產化機遇，搶佔細分市場。全球NOR Flash市場長期由華邦、旺宏等國際廠商主導，近年來國產企業市場份額逐步提升，國產替代趨勢顯著。MCU企業可順勢而為，以中小容量產品為切入點，避開與頭部廠商在高密度、車規級產品上的直接競爭，精準搶佔細分市場份額。當然，新進入者也面臨不小挑戰：NOR Flash市場已形成兆易創新、普冉股份等頭部企業，新玩家需在性能、成本、可靠性上實現突破；產品系列化需持續投入大量研發資源，可能影響MCU傳統業務的迭代速度；同時，市場受產能、需求波動影響較大，價格起伏可能衝擊企業盈利能力。不難看出，MCU企業佈局NOR Flash，是依託技術協同、把握國產化機遇的戰略選擇，已成為近年來半導體行業的重要發展趨勢，同時也需應對市場競爭與資源分配等多重挑戰。043D NOR快閃記憶體：非易失性儲存革命為了適應人工智慧、智能汽車等產業發展，HBM、HBF、HBS等各類堆疊方案層出不窮。而在NOR Flash領域，這些應用也對更高密度、更快訪問速度和更高可靠性的快閃記憶體提出更高要求。傳統2D NORFlash已近接物理和性能極限，其平面架構限制了其可擴展性。3D NOR Flash通過垂直堆疊儲存單元，徹底解決了2D架構的可擴展性難題。以旺宏電子（Macronix）的產品線為例，2D NOR Flash單裸片最大容量僅為512Mb，若需更高密度需採用多裸片系統級封裝（SiP）；而3D NOR Flash單裸片容量可達到4Gb，儲存密度實現跨越式提升。這一特性使其成為有限物理空間內需要大量非易失性儲存場景的理想選擇，能夠減少終端裝置對eMMC和NAND等多儲存器件的依賴。除了儲存密度的提升，3D NOR Flash還具備更短的訪問延遲，顯著最佳化了裝置啟動性能，這對於汽車儀表板、AI伺服器等需要近乎即時訪問儲存資料的應用至關重要。隨著3D NOR技術的成熟與量產，其將進一步滿足汽車電子、AI伺服器等高端場景的高性能需求。從技術迭代到需求爆發，從本土突圍到產業升級，NOR Flash在多領域剛需的推動下，成為半導體產業中極具增長潛力的黃金賽道。未來，隨著3D NOR等技術的持續突破，以及國產化處理程序的加速，NOR Flash市場將迎來更為廣闊的發展空間。 (半導體產業縱橫)

11月18日消息，中芯國際表示，該公司的產線非常滿，三季度產能利用率達到95.8%，訂單很多，產線供不應求。四季度指引沒有大的躍升的原因之一是手機市場現在儲存器特別緊缺，價格也漲得非常厲害。“中芯國際承接了大量模擬、儲存包括 NOR/NAND Flash、MCU 等急單，為保障交付，主動將部分非緊急手機訂單延後，這也使得手機業務佔比短期有所下降。”該公司稱。據中芯國際財報顯示，該公司前三季度營收約495.1億元，同比增加18.2%；歸屬於上市公司股東的淨利潤約38.18億元，同比大增41.1%；毛利率為 23.2%，同比增長5.6個百分點。單看第三季度，中芯國際營業收入171.62億元，環比增長6.9%；實現淨利潤15.17億元，同比增長43.1%；毛利率為25.5%，環比上升4.8個百分點；產能利用率上升至95.8%，環比增長3.3個百分點。財報顯示，中芯國際的產能利用率進一步提升，從第二季度的92.5%上升至95.8%，折合8英吋標準邏輯月產產能達到百萬片。整體來看，儲存的影響是雙向的。對當前是提拉訂單，對來年是看不清。據觀察，儲存供應短缺或過剩5%就有可能給價格帶來成倍的影響。目前行業供應存在缺口，預計高價位態勢將持續。此外，NOR Flash、NAND Flash及MCU等產品驗證周期長、替代門檻高。即便有新廠商嘗試進入，從流片到規模化量產也需至少16個月。這意味著在未來一段時間內，現有供應商的市場地位將保持穩定，難以被快速替代。在11月4日舉行的業績說明會上，中芯國際聯合首席執行官趙海軍表示，公司產量上升“主要是因為產業鏈切換加速進行，以及管道還在備貨補庫存，公司積極配合客戶保證出貨”。晶圓平均銷售單價環比增長3.8%，是由於產品組合變化，製程複雜的產品出貨增加。趙海軍提到，四季度雖然是傳統淡季，客戶備貨有所放緩，但產業鏈切換迭代效應持續，淡季不淡。因此，公司給出的四季度收入指引為環比持平到增長 2%；產線整體上繼續保持滿載；毛利率指引為 18%到20%，與三季度指引相比持平。據此預測，公司全年銷售收入預計超過90億美元。 (國芯網)

黃仁勳公開表態：OpenAI 將是下一個市值數兆美元的超級公司！其核心邏輯是：OpenAI 不只是做一個產品，而是建構一個完整的“生態系統”；B2C（消費者端）：ChatGPT、Sora類產品，已經形成穩定的付費訂閱模式。B2B（企業端）：提供 API，支援無數公司接入 GPT 模型，這類似“AI 雲基礎設施”，商業模式清晰，有望複製蘋果、微軟、Google的生態級擴張。本周推出的Sora2更加認證了這一點，每個人通過AI生成帶音效的有趣視訊，然後發佈到Sora應用，和好友互動，吸引粉絲關注，直接挑戰短影片老大Tiktok和Google的地位。而關鍵的關鍵，是AI 應用背後真正的瓶頸是資料的儲存！也是我們今天要討論的投資機會的核心。每一條 Sora2 視訊、每一次 AI 互動，都會形成海量資料。這些資料不僅需要算力來處理，更需要無數的硬碟和儲存系統去承載。現實正在發生。三星和海力士本周三的聲明，OpenAI CEO Sam Altman 已在首爾簽署意向書，將兩家儲存巨頭納入 “星際之門”超級資料中心計畫。隨著項目擴張，OpenAI 的儲存需求可能達到 每月 90 萬片晶圓——是當前全球 HBM 總產能的兩倍多！為什麼會是這麼恐怖的需求量？我們一看便知。基礎媒體的資料量文字（文字）： 資料量極小，幾乎不產生儲存壓力。圖片： 開始有體量，大約 1MB/張。音訊/歌曲： 資料量增大，約為 5MB/首。基礎視訊： 資料量暴增，每分鐘需要 50MB資料的真正挑戰出現在內容的多樣性和裂變上：多語言翻譯： 如果一個視訊需要翻譯成 10 種語言，資料量直接乘以 10，達到 500MB/分鐘 (50MB×10)。變種創作（個性化）： 每個使用者對視訊進行的變種創作（如卡通化、換臉、古風化），都相當於生成一個全新的、獨立的高畫質視訊。由於使用者的創意是無窮無盡的，這種裂變帶來的資料體量幾乎就是無窮無盡的。以 Instagram 30 億使用者為例，即使只有很小一部分使用者參與裂變創作，所產生的資料總量也將是天文數字。因此，一旦 Sora 2 普及，OpenAI 毫無疑問將成為全球最大的儲存買家之一。它不僅要買進海量的記憶體（DRAM/HBM）和快閃記憶體（NAND），還要瘋狂採購 HDD 和 SSD，甚至直接與儲存寡頭簽下十年級的戰略合作。此外微軟、Google、亞馬遜、Meta 這些雲端運算巨頭它們已經提前出手，不計成本地以天價長約，鎖定了未來幾年儲存晶片的核心產能！換句話說，未來幾年，整個 AI 生態都會成為全球最大的儲存需求引擎。真正要爆發的，不是一家公司的訂單，而是整個 儲存產業鏈的系統性繁榮。這就引出了三個決定性的問題：誰能在 記憶體市場（DRAM/HBM，高速記憶體） 裡真正跑出來，賺到最多的錢？當 快閃記憶體晶片（NAND） 漲價、供不應求時，誰能像“賣水人”一樣，躺著收錢？在 硬碟和固態硬碟（HDD/SSD） 領域，誰會在這場 AI 資料爆發裡，那幾家美股公司將會成為最大贏家？儲存晶片：「飢餓遊戲」開啟如果算力是 AI 城市的“電力引擎”，那麼儲存就是確保電力永不中斷的“電網與能源命脈”。如今，全球儲存晶片市場正在進入一場前所未有的“飢餓遊戲”——供給緊張，而需求卻在無休止地膨脹和搶奪。在深入理解這場搶奪戰之前，我們需要先理清 AI 的儲存體系。CPU 和 GPU 是“大腦”，而三類儲存晶片則構成了它的“記憶結構”：1、DRAM 像辦公桌，速度最快，用來處理眼前的資料，但一旦斷電就會清空；2、NAND 像檔案櫃，速度稍慢，卻能長期保存，是 SSD 等核心儲存的基礎；3、HDD 則是檔案庫，容量最大、成本最低，專門存放冷資料和備份。一句話概括，AI 的大腦依靠 DRAM 高速處理資料，結果和資料再被分流回 NAND 或 HDD，以保證既能即時運算，又能長期儲存。過去，像 DRAM、NAND 這樣的專業晶片，只在半導體行業扮演著默默無聞的“配件”角色。但隨著 Sora 2等生成式 AI 應用的蓄勢待發，儲存晶片正從幕後走向台前，成為了整個科技產業無法迴避的戰略物資。訓練大型AI模型時，資料量動輒 PB 級（百萬 GB），強依賴 HBM（高性能 DRAM）與 DRAM 的快取記憶體，這就像 AI 需要一個無比巨大的超級臨時工作台。而在我們每一次使用 ChatGPT、每一次生成 AI 視訊時，背後都需要在極短時間內呼叫龐大的記憶體資源。簡而言之，AI 不是在“消耗儲存”，而是在“吞噬儲存”，其對儲存的依賴程度遠遠超過以往任何一種應用場景。問題是，這場“飢餓遊戲”的緊張感，來自供需嚴重失衡。在需求端，大客戶正在瘋狂提前鎖貨。據美股投資網瞭解到，全球三大記憶體巨頭，三星、SK 海力士、美光的庫存幾乎被 AWS、微軟、Google、Meta 這些雲廠商包攬一空。為了保證 2026 年 AI 項目的順利交付，這些公司在 2025 年就大幅增加訂單，直接透支了未來的供應。在供給端，廠商為了追求更高的利潤率，將有限的產能優先分配給利潤豐厚的 HBM 和企業級 NAND 產品，導致面向普通市場的標準產品供給進一步收緊。研究機構預測，從 2025 年四季度開始，DRAM 與 NAND 的價格將持續上調，而到 2026 年，缺貨程度可能比此前預期更為嚴重。當供給有限，而需求剛性且不斷上漲時，價格和利潤率在未來幾年被系統性抬升，是必然的結局。與此同時，傳統儲存環節的變動也同步加劇了市場緊張。HDD（傳統硬碟）廠商如西部資料（WDC）和希捷科技（STX），在利潤壓力下不得不選擇削減部分產能。雖然冷資料的儲存需求並沒有消失，但這使得高容量 HDD 的交付周期被迫拉長。面對這種不確定性，一部分對穩定性和速度要求更高的雲廠商，不得不將訂單轉向 SSD（固態硬碟）或企業級 eSSD。由於 SSD 主要由 NAND Flash 構成，這種連鎖反應進一步推高了 NAND 的需求與緊張度。當高速儲存（NAND）和低速儲存（HDD）的供需錯配同時出現，整個儲存產業鏈都陷入了前所未有的“供不應求”局面。摩根大通大幅上調了全球儲存市場的規模預測，將未來兩年全球儲存市場的規模將比原先高出 6% 至 24%，到 2027 年，更是有望逼近 3000 億美元！要知道，這並不是普通的半導體周期反彈，而是一場由 AI 爆發式需求 + 高額資本壁壘 推動的超級繁榮。擴產需要至少一到兩年，而 AI 的資料洪流卻在當下加速噴湧。這意味著什麼？意味著供給遲緩、需求洶湧的“飢餓遊戲”，已經無法避免。未來三到四年，儲存將不再是配角，而會成為重塑整個半導體版圖的核心力量。贏家，必將誕生在這場供需對決的刀尖之上。核心儲存晶片製造商在全球儲存格局中，真正的核心玩家是掌握 DRAM/HBM、NAND 與 HDD 三大賽道的寡頭廠商。他們既是價格的制定者，也是技術路線的掌舵者。DRAM與 HBM賽道行業重心正在從傳統的通用記憶體向高附加值的高頻寬記憶體轉移。HBM 已經成為AI晶片的關鍵配套資源，直接決定了 AI 算力的效率。在這一過程中，美光（MU）正處在一個由“追趕者”轉向“份額兌現者”的階段。公司不僅確認 2025 年 HBM 產能已全部售罄，並預計 2026 年的產能將在數月內被鎖定。這種極高的訂單可見度，讓美光在與客戶談判中擁有了更強的定價權。同時，資料中心業務已成為利潤的核心來源，佔比提升至 56%，，毛利率高達 51.5%。雖然 SK 海力士依舊保持領先，但MU正在輝達供應鏈中不斷提升存在感，並且已經著手推進下一代 HBM4 的商務談判。這意味著，在高端記憶體領域，美光不僅能受益於需求爆發，還能逐漸提升行業中的話語權。NAND Flash賽道根據最新預測，2025 年 Q4 NAND 合同價將繼續上漲 5%–10%，部分品類甚至出現 15%–20% 的短期跳升，這證明了 AI 資料需求驅動下的剛性擴張正在傳導至價格端。全球三大 NAND 供應商目前產能利用率均已接近滿載， 而訂單提前鎖定至 2026 年，使現貨市場更為緊俏。MU在 NAND 賽道具備雙主業的結構性優勢。公司 3D NAND 正邁向 >300 層，並在 2025 年進入量產。層數越高，意味著單晶片容量越大、儲存成本越低，這是決定 NAND 龍頭競爭力的關鍵指標。隨著大模型推理和 AI 視訊生成對高速大容量 SSD 的需求暴漲，MU在“算力+存力”的雙周期中同步受益，具備穿越單一品類波動的避險與彈性。此外SanDisk（SNDK）已經從WDC分拆獨立上市，成為市場上少見的純 NAND 標的。這意味著投資者終於能夠直接押注 NAND 周期本身，而不是通過混合業務的WDC間接參與。SNDK 的純粹性讓其在 NAND 上行周期中具備更強的業績彈性，但同時也更容易受到價格波動和資本開支的影響，風險與機會並存。在 NAND 產業鏈中，慧榮科技（SIMO）是典型的“賣水人”。作為全球最大的獨立 SSD 控製器供應商，它不直接參與 NAND 製造，卻是 SSD 系統不可或缺的“大腦”。控製器的作用在於調度讀寫、進行錯誤糾正和壽命管理，因此無論 NAND 的價格如何波動，SIMO都能跨周期穩定變現。它的 PCIe Gen5 控製器已經量產，在客戶端和資料中心 SSD 中均有重要地位，這種“賣水人”模式為產業鏈提供了一種相對穩定的投資選項。HDD（傳統硬碟）賽道目前全球 HDD 基本上由WDC和STX兩家公司掌控。由於市場過於集中，這兩家公司擁有強大的定價權。特別是在近年來 HDD 廠商因利潤壓力選擇主動減產的背景下，市場供給收緊，進一步增強了它們提價的能力。對於亞馬遜、Google雲和 Meta 這樣的超大規模資料中心營運商而言，HDD 依舊是平衡成本與容量的選擇。在這兩大巨頭中，WDC的優勢在於它既保留了 HDD 業務的現金流基礎，同時又通過旗下 NAND 業務分享快閃記憶體周期的紅利。雖然 SNDK 的分拆讓它的 NAND 敞口被削弱，但作為一體化的儲存巨頭，WDC 依然具備跨品類的平衡能力。相比之下，STX則更專注於高容量 HDD 技術的迭代，聚焦在冷儲存市場，以穩健的現金流為其價值核心。企業級儲存系統Pure Storage（PSTG） 提供了與晶片製造和元件業務不同的投資視角，它代表了企業級儲存市場從傳統硬體轉向服務和軟體的趨勢。與傳統晶片廠商不同，PSTG 並不生產 NAND，而是提供全快閃記憶體儲存陣列與軟體定義儲存解決方案。它的增長邏輯在於 HDD 向 SSD 的替代趨勢，以及 AI 資料中心對高性能儲存的剛性需求。FlashArray 和 FlashBlade 已在企業級客戶和雲服務商中獲得越來越多的訂單，這讓 PSTG 能夠獲得高毛利的合同和持續的成長動力。不過，由於高度依賴上游 NAND 的供應，其毛利結構依舊會受到一定影響，這也意味著它更像是“結構性成長股”，而不是價格的制定者。 (美股投資網)

在AI伺服器的強勁需求帶動下，2024年全球DRAM和NAND Flash銷售收入創1,670億美元的歷史新高。 根據CFM快閃記憶體市場資料顯示，2024年第四季全球NAND Flash市場規模減少8.5%至174.1億美元，DRAM市場規模季增13.5%至293.45億美元，全球儲存市場規模再度季增4.2%至467.55億美元。整體來看，全球儲存市場規模在2024年第一季、第二季、第三季、第四季持續維持季比成長，也帶動2024年全年DRAM及NAND Flash整體銷售收入達1,669.79億美元，創造歷史新高。 資料顯示，2024年第四季全球DRAM市場規模293.45億美元，季增13.5%，年增66.1%。 AI伺服器的熱絡持續推動對HBM以及高容量DDR5的需求，也推動三星和SK海力士的儲存收入創歷史新高，然而消費類需求卻也出現持續的疲軟，導致傳統類DRAM銷售收入的下滑。整體來看，四季DRAM ASP較上季仍維持成長，而整體DRAM bit出貨量則發生季減。 此外，2024年第四季全球NAND Flash市場規模達174.1億美元，季減8.5%，年增42.4%。因eSSD採購需求部分放緩，再疊加行動和PC應用市場需求的疲軟，令第四季度NAND Flash的ASP和bit出貨量均較上季減少。繼三季僅SK海力士出現環比下滑後，在第四季度所有原廠的NAND Flash營收均較上季發生不同程度的下滑。